ch3外延研讨.ppt

3.4.1其它外延——液相外延 液相外延（ LPE：Liquid Phase Epitaxy） 液相外延是利用溶液的饱和溶解度随温度的变化而变化，使溶液结晶析出在衬底上进行外延的方法。 硅的液相外延是采用低熔点金属作为溶剂，常用的溶剂有锡、铋、铅及其合金等。 硅的液相外延是将硅溶入锡中，在949℃时溶液饱和，当降低温度10-30℃时溶液过饱和，硅析出，在单晶硅衬底上生长出外延层。 固相外延（ SPE: Solid Phase Epitaxy ） 固相外延是将晶体衬底上的非晶（或多晶）薄膜（或区域）在高温下退火，使其转化为单晶 。 离子注入时，损伤造成的非晶区和非晶层经退火晶化过程就是固相外延。 SPE工艺的关键是工艺温度和保温时间。在保证SPE外延层晶格完整的条件下，应尽量降低工艺温度和缩短工艺时间。 3.4.2其它外延——固相外延 3.4.3先进外延技术及发展趋势 超高真空化学汽相淀积（UHV/CVD） 1986年由IBM提出，生长室气压可达10 - 7 Pa，源SiH4，衬底为晶格完好的单晶硅，在600~750℃之间，甚至更低温度淀积单晶硅薄膜。 优势： 工艺温度低，有利于制备杂质陡变分布的薄外延层； 真空度高，减少了残余气体带来的污染； 设备操作维护比较简单，易于实现批量生产。 广泛应用于产业界 例：GaAs/Si外延 当前较成熟的方法是直接生长法，两步MBE外延工艺过程： 以三乙基镓和砷烷为原材料，约900℃热处理； 第一步，升温至410-450℃，源在硅衬底上反应，生成250?砷化镓过渡层； 第二步，升温至700 ℃，生成砷化镓外延层，同时过渡层也转化为单晶。 T/℃ t/min 一步 二步 预处理 GaAs/Si外延工艺 金属有机物气相外延（ MOCVD ： Metal Organic Vapor Phase Epitaxy ）：主要制备化合物半导体单晶薄膜 3.4.3先进外延技术及发展趋势 化学束外延（ CBE : Chemical Beam Epitaxy,） 20世纪80年代中期，综合MBE的超高真空条件下的束流外延可以原位监测及MOCVD的气态源等优点。 与CBE相关的还有气态源分子束外延 (GSMBE)和金属有机化合物分子束外延(MOMBE)，区别在于采用的气态源不同。 3.4.3先进外延技术及发展趋势 3.5外延层缺陷及检测 外延层质量直接关系到做在它上面的各种器件的性能，所以应检测、分析外延层缺陷及产生原因，并对外延层特征量进行测试： 外延层缺陷分析 图形漂移和畸变 层错法测外延层厚度 检测内容 电阻率测量 3.5.1外延层缺陷分析 外延层中的缺陷 表面缺陷：显露在外延层表面的缺陷； 云雾状表面、角锥体、表面突起、划痕、星状体、麻坑等。 体缺陷：存在于外延层内部的晶格结构缺陷； 层错 位错 线缺陷 外延层 （111）衬底 划痕 点缺陷 角锥体 层错 云雾状表面缺陷： 由于气源污染，衬底硅片清洗不干净，气象腐蚀不足等原因造成； ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 3.5.1外延层缺陷分析 角锥体 星形线（滑移线） 划痕 3.5.1外延层缺陷分析 层错（堆积层错）：它是外延层中最常见的内部缺陷，层错本身是一种面缺陷，是由原子排列次序发生错乱所引起的。 3.5.1外延层缺陷分析 3.5.2图形漂移和畸变 Si各向异性是出现漂移和畸变的主要原因： T↑漂移↓；G ↑漂移↑ 低压外延，P ↓漂移↓ (100)晶片，图形漂移最小。对于(111)晶片取向2~5o，影响最小。 外延图形的漂移和畸变现象是指在外延生长前，硅片表面可能存在凹陷图形，外延生长之后，本该在外延表面相应位置出现完全相同的图形，却发生了图形的水平漂移、畸变、甚至消失。 3.5.3外延层参数的测量 层错法测外延层厚度 层错源于界面的图形大于源于外延层内部的，要选择大的图形。不能选择靠近外延层边缘的图形。 化学腐蚀后，外延层要减薄一定厚度，在腐蚀时只要能显示图形就可以，时间不应过长。计算厚度时，应考虑腐蚀对厚度的影响。 电阻率方法： 四探针法，扩展电容法，C-V法； l T l 外延层 衬底 （111）方向硅的层错形状 硅外延材料技术规范 序号 特征 参数 测试方法 1 外延层掺杂剂 P,P+:Boron N,N+:Phosphorus, Arsine ? 2 外延层晶向 100,111 ? 3 外延层电阻率 外延炉 直径 类型 外延片电阻率 均匀性 ASTM ?F723? F1392 批式 100mm 125mm 150mm P/P+; N/N+