低压扩散.docVIP

低压扩散 管式炉特别是卧式扩散炉是光伏与半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，广泛适用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、太阳能电池、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，可用于2-8英寸工艺尺寸。 J y3 _: ^; G9 ` r??r, f 下面简单介绍管式炉适用的工艺：$ H6 V, j; O/ Y 一、扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。 t0 K L Q/ C q0 Y$ x 常用的低压磷扩散利用低压氛围可以得到更好的方块电阻均匀性和更大的生产批量，同时对环境的影响最小。1 l2 T7 Z b9 h+ `, g; N 二、氧化工艺是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧和湿氧，湿氧包括水汽氧化和氢氧合成两种，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。7 d1 A8 H F: b/ A7 r5 f! c 三、退火工艺包含杂质退火（氧化层退火、注入后退火等等）和金属退火，杂质退火两个目的，修复晶格激活杂质元素，工艺温度比较高；金属退火比较复杂，主要目的是解决金属与物质的接触和填充问题，每种退火的原理与适用材料也有所区别。1 d; o2 W/ R8 N! R: V 四、合金工艺主要是形成欧姆接触或者形成键合区。8 @5 G; J! o P: T p B 五、烧结工艺主要应用于电真空、航空航天、电力电子、机械加工；可对不锈钢、无氧铜、金属化陶瓷件等不同零件进行无氧化钎焊、退火、烧结及对薄膜、厚膜电路、混膜集成电路等在氢气、氮气或氢氮混合气体的保护下， 对工件进行焊接， 封装和烧结等。 ; t W. P* P3 A 扩散炉是光伏与半导体集成电路工艺的基础设备，它与光伏、半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。% X/ p P9 w- ~, p??X9 m 如果大家感兴趣的话稍后陆续推出更加详细的管式炉设备原理与工艺的介绍说明，欢迎留言发表您的看法，互相促进学习。管式低压扩散炉9 f7 9 \5 D9 n7 n3 I??^低压扩散炉的问世，标志着sunred为晶体硅太阳电池扩散工艺设定了全新标准。+ D% d# D5 I- x. W w ^. Q, o D, S6 c. B# Q5 A得益于全新的低压扩散工艺，我们的客户在高至150Ω/sq的方块电阻范围内实现了优异的发射极扩散均匀性。高产能和低消耗的特性，让该产品能够在低拥有成本和占地面积的情况下生产高品质的太阳电池。 U- p, F c* K- p??j- w! C3 e+ $ D* z# h4 ~9 \ A赛瑞达公司管式炉具有高度的灵活性，能够适应变化多端的产能应用与工艺流程变化，这是该产品的又一个的主要优点。8 V- j$ w y% 6 Z$ Q7 H z3 ! D此外，由于能够分别控制各个工艺炉管，从而保证了生产的连续性，甚至在某个炉管进行维护过程中或停机时，其它炉管也能正常运行。 f, x* u# p1 O??p0 Q8 x; ^6 C7 ?5 i X: G2 |% l, q9 o/ P- A; K优势 A% q5 P3 j C高方块电阻范围内实现优异的扩散均匀性和重复性5 ?/ k$ ^2 \ Q2 o- a/ ]硅片双面扩散（磷的吸杂效应提高了材料质量） o @% s8 U; _$ W冗余度提高了可利用率 m7 C- ^% M1 p纯度达到最大限度（无残余物气相扩散）8 P5 N* R??`6 D p. I??T能够根据产能进行配置（工艺炉管数、可选背对背装载）5 L6 N2 f7 z# V @4 Q8 h多达5个石英管能够彼此独立运行 E2 M; a% v h8 l. H- v低耗材和动力消耗; [ o% G7 j- b# v j: p4 O- s占地面积最小化5 l: E3 L9 d8 d. e4 3 b# m??f/ ~2 E: m工艺流程7 \. s O??M- C, F/ v??d, Y三氯氧磷扩散 O: z9 J I% W% O+ Z三溴化硼扩散在制造工艺上采用氮气携带三氯氧磷管式高温扩散是目前主流生产技术，其特点是产量大、工艺成熟操作简单。随着电池向大尺寸、超薄化方向发展以及低的表面杂质浓度（表面方块电阻80～120Ω／口、均匀性±3%以内），低压扩散技术优势非常明显，工艺中低的杂质源饱和蒸气压、提高了杂质的分子自由程，它对156尺寸的硅片每批次产量1000片的情况下其扩散均匀性仍优于±3%，是高品质扩散的首选与环境友好型的生产方式。具备更高的产能（1000片每炉 ，90方