巨磁阻抗磁传感的 GMI 非晶丝 MI-CB-1DH,K.Mohri Yashizawa Duwez aichi-mi Aichi Micro Intelligent研讨.pptxVIP
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巨磁阻抗磁传感的 GMI 非晶丝 MI-CB-1DH,K.Mohri Yashizawa Duwez aichi-mi Aichi Micro Intelligent研讨
GMI Sensor Principle Application
巨磁阻抗传感器
的原理及应用介绍
新.磁.(上.海).电.子.有.限.公.司
2013.12 By Tony
邮.件. sensors-ic at
巨磁阻抗效应(GiantMagneto-Impedance effects, GMI)是指软磁材料的交流阻抗随外加磁场的改变而发生显著变化的现象,产生GMI效应的主要原因是高频电流的趋肤效应。GMI磁传感器采用交流驱动,具有灵敏度高、饱和磁场低、响应快和稳定性好等优点。利用GMI非晶丝材料可设计成高灵敏度的磁场传感器,用于微弱磁场、电流、位置、生物分子浓度等物理量的检测,在地磁场测量、地磁匹配导航及多种弱磁传感器中有着广泛的应用,具有很大的应用前景和研究价值。
GMI Sensor巨磁阻抗传感器简介
传感器基础材料—非晶丝
The MI Sensor makes use of the Giant Magneto-Impedance effect of magnetic amorphous metal wire.
材料的GMI效应可以用样品阻抗Z随外加磁场Hex变化的Z-Hex曲线来表征,但这样的曲线不能明确反映出磁阻抗效应的强弱程度。特别是由于样品的测量长度无法严格控制,不同样品的Z-Hex无法相互比较,因此可选用阻抗的相对变化值随外加磁场的变化曲线来表
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