常用半导体器件 ppt课件研讨.ppt

三、PN结VCR方程 一、晶体管内部载流子的运动 一、输入特性曲线 二、输出特性曲线 三极管内部结构要求： N N P e b c 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 三极管放大的外部条件： VBB VCC - uo + Rb Rc 共射放大电路 电流单位：mA iB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 iE 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 iB iC iE 35 37.5 38.3 38.8 39.5 少数载流子的运动 发射区多子浓度高，大量电子从发射区扩散到基区 基区薄且多子浓度低， 极少数扩散到基区的 电子与空穴复合 集电区面积大，在外电场 作用下大部分扩散到基区 的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 二、晶体管的电流分配关系 扩散运动形成发射极电流IE 复合运动形成基极电流IB 漂移运动形成集电极电流IC IE=IC+IB IE= IEN+ IEP =ICN + IBN