微电子与集成电路设计2研讨.pptVIP

第4章 集成电路器件工艺 CMOS是将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 三种以硅为衬底的制造CMOS IC的基本方法：1）N阱硅栅CMOS工艺；2）P阱硅栅CMOS工艺；3）双阱硅栅CMOS工艺。 * * 在IC的制造过程中，光刻是多次应用的重要工序。其作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件结构。 光刻工艺是完成在整个硅片上进行开窗的工作。 到目前为止所讨论的各基本半导体生产工艺，除淀积外都只在硅片上被选中的局部面积上进行．它们的选取是由光刻工艺来实现的．光刻指的是将掩模版或计算机数据库中存放的图像复制到硅片上的整个过程． 光刻次数越多，表示工艺越复杂 光刻所能加工的线条越细，表示工艺水平越高 * 光刻类似于照相。 3个主要步骤：曝光、显影、刻蚀 3种设备和器材：光刻胶、掩模版和光刻机 掩膜版和光刻胶： 光刻胶：正胶和负胶 * 光刻过程如下： 1．涂光刻胶 2．掩膜对准 3．曝光 4．显影 5．刻蚀：采用干法刻蚀（Ery Eatching） 6．去胶：化学方法及干法去胶 (1)丙酮中，然后用无水乙醇 (2)发烟硝酸 (3)等离子体的干法刻蚀技术 * * * * Start with a Silicon Wafer * Deposit a Layer of Silicon Dioxide * A “Mask” Layer We want t