微米MOS与MOSFET研讨.pptxVIP

微米MOS与 MOS场效应晶体管俞静婷 言 引 O M S 金属－氧化物－半导体 利用半导体的表面效应制造出有实用价值的器件 引言 引言 结构 应用 文献1 Fabrication of Silicon MOSFETs Using Soft Lithography 来源：Advanced Materials 1998, 10, No.17 软刻蚀技术：非光刻图形转移技术，接触印刷和聚合物成型；关键：在图形转移步骤中，最小化弹性模具的变形，对半导体材料表面不造成污染。 Micromolding in capillaries, MIMIC High electron mobility transistors (HEMTs) 文献1-p沟道增强型MOSFET p-MOSFET横断面剖视图 器件顶视图 文献1 1.理想的MOS结构及其表面电荷区 基本结构： 铝栅N沟道MOS场效应晶体管 增强型与耗尽型： 一般增强型。 增强型：原始结构中无沟道。 耗尽型：在制作为成品之后，已存在导电沟道。 N沟增强型：依靠离子注入技术和清洁氧化物技术。早期的N沟道的原因是氧化物中正电荷的作用，类似VG作用，产生导电沟道。 1-1.MOS管基本结构及工作原理 工作原理： 以N沟道增强为例 栅上施加+VG +VG作用感生N型沟道（耗尽－展宽－反型） 在VDS的作用下出现漏电流IDS 特性