晶体的生长方法简介研讨.pptVIP

晶体的生长 晶体的一些应用 晶体特别是单晶广泛应用于各个高新科技领域： 激光工作物质：YAG (Y3Al5O12) 非线性光学晶体：KDP(KH2PO4)、BBO(β-BaB2O4)、 LBO(LiB3O5)、CBO(CsB3O5)、LCB(La2CaB10O19) 闪烁晶体：BGO (Bi4Ge3O12)、PbWO3 磁性材料：R3Fe5O12、(Te,Dy)Fe2 半导体材料：Si、Ge、GaAs、GaN 超硬材料：金刚石、立方氮化硼， 晶体生长的基本过程 从固相中生长晶体的主要优点在于： 1)可以在不添加组分的情况下较低温进行生长， 即在熔点以下的温度下生长； 2)生长晶体的形状是事先固定的，所以丝、箔等 形状的晶体容易生长出来； 3)取向常常容易得到控制； 4)除脱溶以外的固相生长中，杂质和其他添加组 分的分布在生长前被固定下来，并且不被生长 过程所改变(除稍微被相当慢的扩散所改变外)。 从固相中生长晶体的方法主要有五种 (1)利用退火消除应变的再结晶 大部分利用应变—退火生长的晶体是金属单晶。 例如：由于铝的熔点低(660℃)，对金属铝的再结晶和晶粒长大有许多研究。在施加临界应变和退火生长过程前，铝的晶粒尺寸大约为0.1mm。对99.99%的铝采用交替施加应变和退火的方法，获得了直径为5mm的晶粒。也有研究利用诱导晶界迁移