柔性非晶硅太阳能电池的制备答辩研讨.pptx

柔性非晶硅太阳能电池的制备 材科1001 臧冬冬 指导教师：冯晓东 目录 背景意义 电池的制备工艺 前电极和电池的实验及分析 展望 背景意义 非晶硅太阳能电池在室内弱光下也能发电，已被广泛用于钟表，显示牌等不直接接受光照的场合下 非晶硅荧光灯 非晶硅电子表 制备工艺 TCO（ITO） P层 I层 N层 ZnO Al电极 不锈钢衬底 制备工艺 沉积参数 序号 流程 气体 流量(s) 压力（pa) 时间（s) 功率（w) 温度（度） 1 Al电极 Ar 18 3.8×10-1 1200 　40 200 2 ZnO Ar 18 3.8×10-1 1200 40 200 3 N1层 PH3 0.6 150 120 30 300 H2 80 SIH4 12 4 I1层 H2 80 150 1800 30 200 SIH4 12 5 H2辉光 H2 80 150 60 30 200 6 P1层 H2 120 100 60 30 200 SIH4 12 BF3 2.4 7 ITO高阻层 Ar 　18 　3.8×10-1 　120 　20 　200 O2 2 3.8×10-1 120 20 200 8 ITO层 Ar 18 3.8×10-1 2400 20 200 9 空气破真空 　 　 　 　 　 　 制备工艺 非晶硅薄膜沉积参数的设置依据： 1.压强：压强增大可以增加沉积速率，节约时间，减少成本，但是过高的压强会导致薄膜中缺陷增加。 2.电极间距：3cm电极间距无论是在沉积速率和等离子体稳定性方面都有优势。 3.基板温度：高温下沉积的薄膜虽然速度慢，但是薄膜质量更高，薄膜中缺陷态更少，但是由于我们使用的是不锈钢基板，在高温下容易变形，所以温度也不适宜过高。 ITO前电极的工艺优化 不同功率条件下下沉积ITO薄膜透射谱 不同压强条件下沉积的ITO的透过率 ITO前电极的工艺优化 不同氧气流量沉积的ITO薄膜对应的平均透过率 不同氧气流量气氛下沉积的ITO薄膜方阻 分析讨论 薄膜质量的影响因素 1. 功率：功率有利于高质量ITO薄膜的获得，但是高功率会导致反应离子能量过高，溅射到基板上破坏非晶薄膜 2. 压强：2mtorr压力下沉积的ITO薄膜透过率较好，其他不同压强对透过谱的影响并不大 3.掺氧量：少量掺氧虽会使得方阻增加，但是对薄膜的透过率有利，如果掺氧较多，则方阻太大，对电池的电学性能不利 电池性能测试 结果 电池IV曲线图及性能参数，器件面积5?5mm2 Voc V Isc（A） Fill Factor Efficiency*100% R at Voc R at Isc 0031.6890 0.87 180.448007 462.893 结果分析 电池样品开路电压偏低，可能为p层，n层掺杂不理想，电子和空穴的准费米能级差距偏小； 电池的短路电流很小，考虑为非晶硅薄膜的缺陷较多和前后接触界面的复合严重，导致载流子不能被有效收集。 电池的填充因子偏低，可能为电极与非晶硅接触产生的串联电阻较大和分流电阻较小。 展望 提高非晶硅层的质量； 优化掺杂工艺； 优化ITO前电极同P层界面的接触； 规范清洗操作。 谢谢欣赏