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1.1数制和码制 1.1数制和码制 * 晶体三极管 第一章 常用半导体器件 1.3 晶体三级管（BJT） 一、晶体管的结构 1.外形 图1.3.1 晶体管的几种常见外形 2.结构 NPN型硅管结构 NPN型 PNP型 结构类型 三区两结三极 P 集电区 P 发射区 N 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 N 集电区 N 发射区 P 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 NPN管 PNP管 b e c b e c 三极管符号 三个电极 e：发射极 b：基极 c：集电极 三个区 发射区 基区 集电区 一、晶体管的结构 发射区 发射载流子 掺杂浓度最高 尺寸比集电区小 基区 掺杂浓度最低 尺寸最薄 控制载流子 集电区 收集载流子 掺杂浓度较低 尺寸最大 两个PN结 发射结 集电结 P N P e b c N P N e b c 二、晶体管的电流放大原理 1. 内部载流子的传输过程 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 N N P B E C VBB RB VCC IE N N P b e c VBB RB VCC IB IC 发射区：发射载流子 形成发射极电流IE 。 集电区: 收集载流子 形成较大的电流IC. 发射结正偏: 集电结反偏: 基区:传送和控制载流子形成小的电流IB。 2. 电流分配关系 IE=IB+ IC 二、晶体管的电流放大原理 c b e ++ + - V cc V BB R c R b …….. …….. N N P 共射直流电流放大系数: 共射交流电流放大系数： 和 ?差别很小,一般认为: 结论 1. 三极管要放大，必须满足： 外部条件： 发射结正偏；集电结反偏。 2.三极管内有确定的电流关系： 只要输入给定，则输出也确定，即管子做成后，IC ,IB比例基本一定。 3.三极管各极电流方向和电压极性: (NPN PNP） NPN管，UCUBUE ; PNP管，UCUBUE 。 例 : 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型 （是NPN管还是PNP管，是硅管还锗管），并区分e、b、c三个电极。 3 1 2 2V 2.7V 6V 3 1 2 2.2V 5.3V 6V 3 1 2 ?4V ?1.2V ?1.4V (a) (b) (c) (a) NPN硅， 1－e，2－b，3－c (b) PNP硅管， 1－c，2－b，3－e (c) PNP锗管， 1－c，2－e，3－b 解：(1)依|UBE|=0.7V(或|UBE|= 0.2V)确定硅还是锗。 (2)找出c极：极间电压不是0.7V或0.2V的为c极。 (3)UB、UE、UC三个电位中，UC最低，是PNP管； UC最高，是NPN管。 (4)PNP管： UC UBUE；NPN管： UCUBUE。 以确定b, e极。 3 1 2 2V 2.7V 6V 3 1 2 2.2V 5.3V 6V 3 1 2 ?4V ?1.2V ?1.4V (a) (b) (c) 3. 三极管的三种组态 由三个电极可组成三种电路: 共射、共基、共集 公共 电极 信号输入端 信号输出端 共集放大电路（共c） 信号输出端 公共 电极 信号输入端 共基放大电路（共b） 信号输出端 信号输入端 公共 电极 共射放大电路（共e） c b e 接法 二、晶体管的电流放大原理 ?uI = 10mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 10 μA ?uO = -?iC? Rc= -0.5 V ? = 50 使 4. 放大作用 说明有电压放大，其负号表示输入、输出电压相位相反。 + - b c e Rc 1k? 共射极放大电路 VBB VCC UBE IB IE IC + - ?uI +?uBE ?uO + - +?iC +?iE +?iB Rb 二、晶体管的电流放大原理 uCE = 0V iB=f (uBE)? UCE=常数 (2) 当uCE≥1V时， uCB= uCE - uBE0，曲线右移. （原因是集电结反偏, iE 大部分被拉到集电区, iB? ） uCE = 0V uCE ? 1V (1) 当uCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 三、晶体管的共射特性曲线 μA V1 V2 mA Vcc Rc VBB Rb iC=f (uCE)?IB=常数 2. 输出特性曲线 三、晶体管的共射特性曲线 (1)输出特性是一非线性曲线簇：对于任一IB ,都有一条曲线。 μA V1 V2 mA Vcc Rc VBB Rb (2)输出特性曲线可分为三个工作区: 截止区 放大区 饱和