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第1章 光电导探测器 1.1 光电子器件的基本特性 1.1.1 光谱响应率和响应率 1.1.2 最小可探测辐射功率和探测率 1.1.3 光吸收系数 1.2 光电导探测器原理 1.2.1 光电导效应 1.2.2 光电导电流 1.2.3 光电导增益 1.2.4 光电导灵敏度 1.2.5 光电导惰性和响应时间 1.2.6 光电导的光谱响应特性 1.2.7 电压响应率 1.2.8 探测率D 1.3 光敏电阻 1.3.1 光敏电阻的结构 1.3.2 光敏电阻的特性 第2章 结型光电探测器 2.1 光生伏特效应 2.1.1 PN结 2.1.2 PN结光生伏特效应 2.2 光电池 2.2.1 光电池的结构 2.2.2 光电池的电流与电压 2.2.3 光电池的主要特性 2.3 光电二极管 2.3.1 PN结型光电二极管 2.3.2 PIN型光电二极管 2.3.3 雪崩型光电二极管（APD） 2.4 光电三极管 2.4.1 光电三极管结构和工作原理 2.4.2 光电三极管的主要性能参数 第3章 光电阴极与光电倍增管 3.1 光电发射过程 3.1.1 外光电效应 3.1.2 金属的光谱响应 3.1.3 半导体光电发射过程 3.1.4 实用光电阴极 3.2 负电子亲和势光电阴极 3.2.1 负电子亲和势光电阴极的原理 3.2.2 NEA光电阴极中的电子传输过程 3.2.3 NEA阴极的量子产额 3.2.4 负电子亲和势阴极的工艺及结构 3.3 真空光电管 3.3.1 真空光电管工作原理 3.3.2 真空光电管的主要特性 3.4 光电倍增管 3.4.1 光电倍增管结构和工作原理 3.4.2 光电倍增管主要特性和参数 3.4.3 光电倍增管的供电电路 第4章 微光像增强器 4.1 像管的基本原理和结构 4.1.1 光电阴极 4.1.2 电子光学系统 4.1.3 荧光屏 4.1.4 光学纤维面板 4.2 像管主要特性分析 4.2.1 像管的光谱响应特性 4.2.2 像管的增益特性 4.2.3 像管的光传递特性 4.2.4 像管的背景特性 4.2.5 像管的传像特性 4.2.6 像管的时间响应特性 4.2.7 空间分辨特性 4.3 红外变像管 4.3.1 玻璃管型的红外变像管 4.3.2 金属型红外变像管 4.4 第一代微光像增强器 4.5 微通道板 4.5.1 通道电子倍增器 4.5.2 微通道板的增益特性 4.5.3 电流传递特性 4.5.4 微通道板的噪声 4.5.5 微通道板的噪声因子 4.6 第二代微光像增强器 4.6.1 近贴式MCP像增强器 4.6.2 静电聚焦式MCP像增强器 4.6.3 第二代微光像增强器的优点 4.6.4 第二代微光像增强器的缺点 4.7 第三代微光像增强器 4.8 第四代微光像增强器 第5章 摄像管 5.1 摄像管的工作方式 5.2 摄像管的性能指标与评定 5.2.1 摄像管的灵敏度 5.2.2 摄像管的光电转换 5.2.3 摄像管的分辨率 5.2.4 摄像管的惰性 5.2.5 摄像管的灰度 5.3 氧化铅光电导视像管 5.3.1 氧化铅靶结构 5.3.2 视像管的结构 5.3.3 视像管的工作原理 5.3.4 氧化铅视像管特性 第6章 CCD和COMS成像器件 6.1 电荷耦合器件的基本原理 6.1.1 MOS结构特征 6.1.2 CCD势阱深度和存储电荷能力 6.1.3 电荷耦合原理 6.2 电荷耦合器件基本结构 6.2.1 转移电极结构 6.2.2 转移信道结构 6.2.3 通道的横向限制 6.2.4 输入结构 6.2.5 输出结构 6.3 CCD的主要特性 6.4 电荷耦合成像器件 6.4.1 线阵电荷耦合成像器件 6.4.2 面阵电荷耦合成像器件（ACCID） 6.4.3 两种面型结构成像器件的比较 6.4.4 扫描方式与读出转移动作 6.5 彩色CCD成像器件 6.5.1 彩色摄像器件 6.5.2 数码相机 6.6 CMOS型成像器件的像素构造 6.6.1 PN结光电二极管方式 6.6.2 光电门+FD方式 6.6.3 掩埋型光电二极管+FD方式 6.7 cMOS成像器件的彩色像素 6.8 CM（）S与CCD图像器件的比较 第7章 致冷型红外成像器件 7.1 SPRITE红外探测器 7.1.1 碲镉汞的性质 7.1.2 SPRITE探测器的工作原理与结构 7.1.3 SPRITE探测器的响应率 7.2 红外焦平面阵列的结构和工作原理 7.2.1 红外探测的原理 7.2.2 红外焦平面阵列特点 7.2.3 红外焦平面阵列的材料 7.2.4 混合式IRFPA之倒装式结构 7.2.5 混合式IRFPA之Z平面结构 7