电路与电子技术简明教程-常用半导体器件研讨.pptVIP

3.4 场效应管 特性曲线 3.4.1 第三章 常用半导体器件 3.特性曲线 ２） 转移特性曲线 场效应管的转移特性是指当漏源电压uDS 为某一定值时， 漏极电流iD 与栅源电压 uGS 的关系， 即 ， 图（b） 为某N 沟道JFET 的转移特性曲线。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 1.增强型绝缘栅型场效应管 １） 结构与符号 N 沟道增强型MOS 管的结构如图所示。图（b） 、（c） 分别为N 沟道和P 沟道增强型MOS 管的图形符号。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 1.增强型绝缘栅型场效应管 ２） 工作原理 N 沟道增强型MOS 管正常工作时， 栅源极之间应加正电压， 即uGS ＞ ０ ， 漏源极之间也应加正电压， 即uDS ＞ ０ 。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 1.增强型绝缘栅型场效应管 ３） 特性曲线 N 沟道增强型MOS 管的输出特性曲线和转移特性曲线分别如图（a） 、（b） 所示。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 2.耗尽型绝缘栅型场效应管 １） 结构与符号 N 沟道耗尽型MOS 管的结构如图（a） 所示。 3.4 场效应管 绝缘栅