MEMS工艺（4体硅微加工技术）梁庭.pptVIP

(1) 溶液及配比 影响各向异性腐蚀的主要因素 (2) 温度 各向同性腐蚀 硅的各向同性腐蚀在半导体工艺中以及在微机械加工技术中有着极为广泛的应用。常用的腐蚀液为HF-HNO3加水或者乙酸系统。腐蚀机理为： 首先是硝酸同硅发生化学反应生成SiO 2，然后有HF将SiO 2溶解。 优点： 无尖角， 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜 目前主要的各向同性腐蚀液为：NHA和HNW H：氢氟酸(HF) N：硝酸(HNO3) A：乙酸(CH3COOH) W: Water 三、自停止腐蚀技术 机理： EPW和KOH对硅的腐蚀在掺杂浓度小于1?1019cm-3时基本为常数，超过该浓度时，腐蚀速率与掺杂硼浓度的4次方成反比，达到一定的浓度时，腐蚀速率很小，甚至可以认为腐蚀“停止”。 （1） 重掺杂自停止腐蚀(KOH和EDP：5?1013/cm3) （2）(111)面停止 （3） 时间控制 （4）P-N结自停止腐蚀 （5）电化学自停止腐蚀 重掺杂自停止腐蚀 自停止腐蚀典型工艺流程 1、薄膜自停止腐蚀 薄膜自停止腐蚀是指晶片刻蚀到最后，终止于其它不会被刻蚀所影响的薄膜，这层薄膜可以是氧化硅、氮化硅、富硅氮化硅、聚酰亚胺，甚至是金属。 利用薄膜自停止腐蚀必须考虑刻蚀选择性，以及薄膜应力问题，因为应力太大将使薄膜发生破裂。 3、（111）面自停止腐蚀 KOH溶液对（100）和（111）面硅的腐蚀速率差别很大，可高达100～400倍，因此可利用（111）面作为停止腐蚀的晶面。 （111）面自停止腐蚀工艺流程 腐蚀保护技术 如果硅晶片表面已经形成一些图案，其中部分薄膜会被腐蚀液所影响，所以必须利用腐蚀保护技术来保护已完成的结构。 目前常用的保护技术有两种： 一是制作夹具或用胶将整个面保护住； 另一种是淀积氮化硅将正面包住，待背后腐蚀完后再将氮化硅去除 薄膜残余应力问题 薄膜应力引起结构破裂的问题，主要分为两大类： 第一类是制造过程的残留热应力、高温淀积后回归常温，由于热膨胀系数不同所产生的残留热应力；这种残留热应力可由高温退火的方式达到一定消除； 第二类是薄膜间因膨胀系数不同造成的残余应力 凸角腐蚀补偿 凸角腐蚀是指在硅岛或硅梁的腐蚀成型过程中，凸角部分被腐蚀掉的现象，体硅各向异性腐蚀时经常出现，这是因为对(100)晶面的硅片体硅腐蚀时，凸角的边缘与[110]方向平行，而腐蚀液对此方向的腐蚀速度较快。若要腐蚀出带凸角的整齐的台面结构，必须采取凸角补偿。 （100）面双方块凸角腐蚀补偿 （100）面双方块凸角腐蚀补偿 （100）面双方块凸角腐蚀补偿 MEMS工艺——硅微加工工艺（腐蚀） 梁 庭 3920330(o) Liangting@nuc.edu.cn 内容 腐蚀工艺简介 湿法腐蚀 干法刻蚀 其他类似加工工艺 腐蚀工艺简介 腐蚀是指一种材料在它所处的环境中由于另一种材料的作用而造成的缓慢的损害的现象。然而在不同的科学领域对腐蚀这一概念则有完全不同的理解方式。 在微加工工艺中，腐蚀工艺是用来“可控性”的“去除”材料的工艺。 大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人） 腐蚀工艺简介——腐蚀工艺重要性 作为实现“去除”步骤的腐蚀工艺是形成特定平面及三维结构过程中，最为关键的一步。 湿法腐蚀 湿法腐蚀——“湿”式腐蚀方法，基于溶液状态的腐蚀剂。 湿法腐蚀工艺特点： 设备简单，操作简便，成本低 可控参数多，适于研发 受外界环境影响大 浓度、温度、搅拌、时间 有些材料难以腐蚀 湿法腐蚀——方向性 各向同性腐蚀——腐蚀速率在不同方向上没有差别 各向异性腐蚀——对不同的晶面的腐蚀速率有明显差别 利用各向异性腐蚀特性，可以腐蚀出各种复杂的结构。 各向异性腐蚀和各向同性腐蚀 硅腐蚀方法：干法和湿法 腐蚀方向选择性：各向同性和各向异性 腐蚀材料选择性： 选择性刻蚀或非选择性刻蚀 选择方法：晶向和掩模 多种腐蚀技术的应用：体硅工艺（三维技术），表面硅工艺（准三维技术） 硅的各向异性腐蚀 是利用腐蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩膜，用光刻、干法腐蚀和湿法腐蚀等手段制作掩膜图形后进行的较大深度的腐蚀。 机理：腐蚀液发射空穴给硅，形成氧化态Si+，而羟基OH-与Si+形成可溶解的硅氢氧化物的过程。 硅的各向异性腐蚀技术 各向异性(Anisotropy) 各向异性腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大（1：400） 湿法腐蚀的化学物理机制 腐蚀——生长 晶体生长是典型的各向异性表现。 腐蚀作用：晶体生长的反过程 湿法腐蚀的化学物理机制 腐蚀过程： 反应物扩散到腐蚀液表面 反应物与腐