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第九章 化学气相沉积技术研讨
1、基本介绍 气相沉积技术: 化学气相沉积法 (Chemical Vapor Deposition,CVD): 利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。 化学气相沉积的特点 ①保形性: 沉积反应如在气固界面上发生,则沉积物将按照原有固态基底的形状包复一层薄膜。 ②如果采用某种基底材料,在沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离,这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。 ③可以沉积生成晶体或细粉状物质,甚至是纳米尺度的微粒。(使沉积反应发生在气相中而不是在基底的表面上) ④可以得到单一的无机合成物质。 CVD对原料、产物及反应类型的要求 1.反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 2.反应易于生成所需要的沉积物而其中副产品保留在气相中排出或易于分离. 3.整个操作较易于控制。 2、CVD分类 根据反应类型不同分为: 热解化学气相沉积 化学合成气相沉积 a、氧化还原反应沉积 b、化合反应沉积 化学输运反应沉积 根据激活方式不同分为: 热激活:电阻加热、感应加热、红外辐射加热 等离子增强的反应沉积(PCVD) (PECVD) 激光增强的反应沉积(LCVD) (LICVD) 微波电子共振等子离CVD 2.1 热解化学气相沉积 1、氢化物:氢化物M-H键的离解能、键能都比较小,热解温度低,唯一的副产物是没有腐蚀性的氢气。 原料:通常IV B族ⅢB族和ⅡB族的一些低周期元素的氢化物如CH4、siH4、GeH4、B2H6、PH3、AsH3等都是气态化合物, 产物:相应的副族元素的单质 2、有机烷氧基的化合物,在高温时不稳定,热分解生成该元素的氧化物。 原料:有机烷氧基的化合物 产物:相应的元素的氧化物 3、此外还有一些金属的羰基化合物,本身是气态或者很容易挥发成蒸气经过热分解,沉积出薄膜。 原料:金属的碳基化合物 产物:相应的金属单质或金属氧化物 2.2 氧化还原反应沉积 1、原料:元素的氢化物或有机烷基化合物 反应:氧化反应(通入氧气) 产物:该元素的氧化物薄膜 2、原料:卤化物(许多卤化物是气态或易挥发的物质) 反应:氢还原反应(通入氢气) 产物:卤化物中对应阳离子单质薄膜 2.3 化合反应沉积 在CVD技术中使用最多的反应类型是两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中相互作用合成得到所需要的无机薄膜或其它材料形式。 常利用氢化物或有机烷基化合物的不稳定性,经过热分解后立即在气相中和其它原料气反应生成固态沉积物, 例如: 2.4 化学输运反应沉积 1、利用物质本身在高温下会气化分解然后在沉积反应器稍冷的地方反应沉积生成薄膜、晶体或粉末等形式的产物。 2、也有的时候原料物质本身不容易发生分解,而需添加另一物质(称为输运剂)来促进输运中间气态产物的生成。例如: 2.5 等离子体增强的反应沉积 概念:等离子体增强化学气相沉积是采用高频电场产生等离子体, 使反应物分解后沉积到基片表面。即以外部电能加到CVD环境中,有效地代替一般热激活CVD系统中的电能热激活,可使PECVD的沉积温度大大低于热激活CVD的沉积温度。 主要用于镀膜技术。 等离子化学气相沉积中的优点: 1) 将反应物中的气体分子激活成活性离子,降低反应所需的温度; 2)加速反应物在表面的扩散作用,提高成膜速率; 3)对于基体及膜层表面具有溅射清洗作用; 4)由于反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞、散射作用,使形成的薄膜厚度均匀。 3)膜层对基体的附着能力强; 4)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基体上制备各种金属薄膜,晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜的可能性。 2.6 激光增强的反应沉积 激光诱导LICVD –Laser-induced CVD 用激光束照射封闭气体室内的反应气体,诱发化学反应,使生成物沉积在气体室内的基片上。 激光的原理:利用反应气体分子(或光敏分子)对特定波长激光束的吸收,引起反应气体分子光解,热解,光敏化反应。 制备薄膜(钨膜) 采用激光束平行于衬底表面,激光束与衬底表面的距离约1mm,结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮的钨膜。通常这一反应发生在300℃左右的衬底表面。 制备纳米材料 激光制备超细微粒的基本原理: 是利用反应气体分子(或光敏剂分子)对特定波长激光束的吸收,引起反应气体分子激光光解(紫外光解或红外多光子光解)、激光热解、激光光敏化和激光诱导化学合成反应,在一定工艺条件下(激光功
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