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淀积铝 * *1 第二章 集成电路工艺基础 第一节 引言 集成电路的制造需要非常复杂的技术，它主要由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可以不去深入研究，但是作为从事系统设计的工程师，有必要了解芯片设计中的工艺基础知识，才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案。对于电路和系统设计者来说，更多关注的是工艺制造的能力，而不是工艺的具体实施过程。 由于SOC的出现，给IC设计者提出了更高的要求，也面临着新的挑战：设计者不仅要懂系统、电路，也要懂工艺、制造。 第二节 半导体材料：硅 1、电阻率： 从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下： 金属： ρ10-4 Ω·cm 半导体：ρ=10-3 Ω·cm~109 Ω·cm 绝缘体：ρ109 Ω·cm 2．导电能力随温度上升而迅速增加 一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而增加，且变化非常明显。举个例子： Cu：30?C ?100?C ?增加不到一半（正温度系数） Si：30?C ? 20?C ?增加一倍 （负温度系数） 3．半导体的导电能力随所含的微量杂质而发生显著变化 一般材料纯度在99.9％已认为很高了，有0.1％的杂质不会影响物质的性质。而半导体材料不同，纯净的硅在室温下：?＝21400Ω·cm 如果在硅中掺入杂质磷原子，使硅的纯度仍保持为99.9999％。则其电阻率变为：?＝0.2Ω·cm。因此，可利用这一性质通过掺杂质的多少来控制硅的导电能力。 4．半导体的导电能力随光照而发生显著变化 5．半导体的导电能力随外加电场、磁场的作用而发生变化 6、P型和N型半导体 两种载流子：带负电荷的电子和带正电荷的空穴。 纯净硅称为本征半导体。本征半导体中载流子的浓度在室温下：T＝300K 当硅中掺入Ⅴ族元素P时，硅中多数载流子为电子，这种半导体称为N型半导体。 当硅中掺入Ⅲ族元素B时，硅中多数载流子为空穴，这种半导体称为P型半导体。 第三节 集成电路制造工艺简介 一、氧化工艺 一个MOS集成电路电路中，主要元件是；PMOS,NMOS,R,C,L及连线。MOS是Metal Oxide Semiconductor Silicon的缩写。MOS管有三种主要材料：金属、二氧化硅及硅构成。 氧化炉 改进的氧化炉 二、掺杂工艺 在衬底材料上掺入五价磷或三价硼，以改变半导体材料的电性能。掺杂过程是由硅的表面向体内作用的。目前，有两种掺杂方式：扩散和离子注入。 gate source drain 1. 扩散：扩散炉与氧化炉基本相同，只是将要掺入的杂质如P或B的源放入炉管内。 扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面。 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。 实验分析表明：P的浓度分布可由下式表示： 其中，NT：预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度 D：P的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 只要控制NT 、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。 2．离子注入 其中： 离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X＝0处，而是在X＝Rp处。 Rp：平均浓度 ?p：穿透深度的标准差 Nmax=0.4NT/ ?p NT：单位面积注入的离子数，即离子注入剂量 2．离子注入最大值Nmax与注入剂量NT有关。 而E0与NT都是可以控制的参数。因此，离子注入方法可以精确地控制掺杂区域的浓度及深度。 三．淀积工艺 淀积工艺主要用于在硅片表面上淀积一层材料，如金属铝、多晶硅及磷硅玻璃PSG等。 1、金属化工艺 淀积铝也称为金属化工艺，它是在真空设备中进行的。在硅片的表面形成一层铝膜。 2、淀积多晶硅 淀积多晶硅一般采用化学汽相淀积（LPCVD）的方法。利用化学反应在硅片上生长多晶硅薄膜。 适当控制压力、温度并引入反应的蒸汽，经过足够长的时间，便可在硅表面淀积一层高纯度的多晶硅。 淀积PGS与淀积多晶硅相似，只是用不同的化学反应过程，这里不一一介绍了。 采用 在700°C的高温下，使其分解： 四、钝化工艺 在集成电路制作好以后，为了防制外部杂质，如潮气、腐蚀性气体、灰尘侵入硅片，通常在硅片表面加上一层保护膜，