半导体制程概论chapter8萧宏.ppt

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 8離子佈植 Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@ www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 目標 至少列出三種最常使用的摻雜物 辨認出至少三種摻雜區域 描述離子佈植的優點 描述離子佈植機的主要部分 解釋通道效應 離子種類和離子能量的關係 解釋後佈植退火 辨認安全上的危害 離子佈植 簡介 安全性 硬體 製程 概要 晶圓製造流程圖 簡介: 摻雜半導體 什麼是半導體? 為什麼半導體需要被摻雜? 什麼是n型摻雜物? 什麼是p型摻雜物? 簡介 摻雜半導體 兩種摻雜的方法 擴散 離子佈植 離子佈植的其他應用 摻雜半導體：擴散 等向性製程 無法單獨控制摻雜物的輪廓和摻雜物的濃度 在1970年代中期以後被離子佈植取代. 摻雜半導體：擴散 最先用來摻雜半導體 在高溫爐中完成 使用二氧化矽光罩 仍然使用在摻雜物驅入(drive-in) 研發在超淺接面形成的應用 沉積摻雜氧化層 氧化 驅入 剝除和清洗 摻雜半導體：離子佈植 用在原子和核的研究 1950年代觀念便已被提出 在1970年代中期才被引進到半導體製造. 摻雜半導體：離子佈植 單獨控制摻雜物輪廓(離子能量)和摻雜物濃度(離子束的電流和佈植的時間組合控制) 非等向性摻