11失效机制详解.pptVIP

1. 干法腐蚀 在潮湿环境中，暴露于离子污染物的铝金属系统会被腐蚀。只需要微量的水就可以进行这种所谓的干法腐蚀。 影响：水本身不会腐蚀铝，但许多溶于水的离子物质可形成腐蚀性溶液。 防护措施：减小保护层开口数目，金属与焊盘开孔在有足量交叠。防止湿气渗透 碱金属即使在室温下仍然可以在二氧化硅中自由移动，其中，钠离子是最常见的一种。 影响：可动离子玷污会引起参数漂移，最明显的是MOS 晶体管的阀值电压。如被钠离子玷污的NMOS 晶体管的栅氧化层。 表面效应包括：热载流子注入、齐纳蠕变、雪崩诱发β 衰减、负偏置温度不稳定性和寄生沟道和电荷分散。 1、 热载流子注入 如果在硅表面附近有强电场，那么部分由强场产生的热载流子据具有足够的能量进入氧化层，这种机制称为热载流子注入。 影响： 它可引起MOS 晶体管的严重看靠性问题。 防护措施：重新设计受影响器件、选择器件的工作条件、改变器件的尺寸减小阀值电压漂移。 任何位于硅表面之上的导体都可能诱生寄生沟道。当有了合适的源区和漏区时，即使没有导体作为栅极，沟道也能形成。这种沟道形成的潜在机制称为电荷分散。 影响：引起模拟电路的参数漂移 防护措施：通过在所有隔离区内设置基区抑制NMOS 沟道的形成；CMOS 工艺使用沟道终止来提高厚场阈值；设置场板可提供防止寄生沟道形成和电荷分散效应的全面保护。 使用衬底保护环防止NMOS沟道形成 包括衬底去偏置、