半导体集成电路_07MOS反相器-MOS晶体管资料解读.pptVIP

MOSFET的导通电阻 源极：载流子（电子）的供给源 漏极：载流子（电子）的排出口 D：漏极 S：源极 G：栅极 B：衬底 D S G 电流IDS 导通电阻：10KW/mm2 S P+ N+ N+ P衬底(Si) G (0~VDD) D B(0V) 电子 电 流 电 流 VDD: 0.25mm的管子为2.5V 0.18mm的管子为1.8V 导通 截至 阈值电压: VTH≒0.2VDD(e.g.0.4V) 0V * MOS晶体管的导通电阻 * 导通电阻是一个非线性电阻，与器件的工作状态有关,平均电阻一般取0.75R0 在非饱和区，导通电阻近似为线性电阻 即Ron=1/gm 导通电阻反比于（W/L)，W每增加一倍，电阻减小一半 D S G 电流IDS * 作业： 1.请画出晶体管的ID-VDS特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程（忽略沟道长度调制效应和短沟道效应）。 2.写出考虑沟道调制效应时饱和区电流方程式。 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * 西安理工大学 微电子学硕士课程 * * 半导体 集成电路 * MOSFET晶体管 * MOS晶体管 本节课主要内容 器件结构 电流方程 电流电压特性 衬底偏压效应 短沟道效应 MOSFET的电容 MOSFET的导通电阻 * MOSFET MOS晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使 电流时而流过，时而切断的开关 n+ n+ p型硅基板 栅极 绝缘层（SiO2） 半 导 体 基 板 漏极 源极 N沟MOS晶体管的基本结构 * MOS晶体管的符号 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) VD ID 非饱和区 饱和区 VG NMOS PMOS 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) (a) (b) NMOS PMOS 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) * 非饱和区的电流方程 * 饱和区的电流方程 MOS晶体管 L’ 沟道长度调制效应 * VDS ID 非饱和区 饱和区 VDSsat=VGS-VTH n+ n+ p型硅基板 G S D 非饱和区的电流方程: 饱和区的电流方程: 记住 * ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) VDS ID 非饱和区 饱和区 VDSsat=VGS-VTH * 漏极 栅极 源极 SiO2 W L mnCoxW L mn ：为Si中电子的迁移率 Cox : 为栅极单位电容量 W : 为沟道宽 L : 为沟道长 Cox Cox=eox/tOX 常令 Kn’＝mnCox , Kp’＝mpCox 导电因子 * VTH 影响MOS晶体管特性的几个重要参数 MOS晶体管的宽长比（W/L) MOS晶体管的开启电压VTH 栅极氧化膜的厚度tox 沟道的掺杂浓度（NA) 衬底偏压（VBS) VTH VTH NMOS的IDS-VDS特性（沟道长1mm) 饱和区 非饱和区 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V IDS VDS VGS * PMOS的IDS-VDS特性（沟道长1mm) * MOS管的电流解析方程（L〉1mm) 工艺参数 ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) 沟道长度调制系数 VTH 阈值电压 * 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) VG VD ID nMOS晶体管的I-V特性 VTH ID VG 增强型（E) VTH ID VG 耗尽型(D) VTH VTH ID VG ID VG 增强型（E) 耗尽型(D) NMOS的ID-VG特性(转移特性） VGS=0 阈值电压的定义 饱和区外插VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-IDS的关系曲线，找出该曲线的最大斜率，此斜率与X轴的交点定义为阈值电压。 以漏电流为依据定义VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-Log(