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* * 光电子技术（12） 加电场下，折射率椭球各系数的变化量为： 在主轴坐标系中， 外加电场下折射率椭球方程为: 四、纵向和横向电光调制 纵向电光调制指电场方向与光波矢量平行，而横向电光调制指电场 方向与光波矢量垂直。 光电子技术（12） （一）、外加电场沿Z方向，即Ez≠0，Ex=Ey=0 折射率椭球方程简化为： 绕Z轴旋转XY坐标45度，消去xy交叉项得正椭球方程： 光电子技术（12） 1、Z向纵向应用 如图所示，电场和光波矢均沿Z轴方向，通过电光晶体后产生沿x’ 和y’偏振的两个正交分量，它们的位相差为： 光电子技术（12） 式中lz为晶体的Z向长度，Vz=Ezlz为Z向电压。 半波电压定义为?=?时所施加的电压，所以KDP晶体沿光轴纵向应 用的半波电压位： 四分之一波长电压定义为?=?/2时所施加的电压，所以KDP晶体沿 光轴纵向应用的四分之一波长电压为： 2、横向运用 如图所示，光沿x’方向通过，产生y’和z方向的两个偏振分量，它们 的位相差为： (对KDP,几千伏高压) 光电子技术（12） 式中lx’为沿x’轴方向的晶体厚度。 上式表明KDP晶体横向应用存在自然双折射引起的位相差?0。对温 度稳定性要求提高，但由于纵横比几何因子lx’/lz的出现，可以利用大 的几何因子来降低半波电压。这又是横向电光调制的优点。 同理，光波沿y’通过也存在自然双折射引起的位相差。 （二）、外加电场沿Y方向 Ex=Ez=0，折射率椭球方程为： 光电子技术（12） 上式中存在XZ交叉项，需要绕Y轴旋转XZ坐标?角， ?满足下式： 坐标变换： 代上式入椭球方程化简得： 光电子技术（12） 1、纵向应用 由于?41在 10-12m/V量级，所以， ，故沿x’和z’偏振 的两分量的电光延迟随电场变化很小，不能纵向应用。 2、横向应用 与纵向应用相似，沿x’或z轴通光，两个偏振分量之间的电光延迟 量很微弱，半波电压非常高，没有使用价值。 光电子技术（12） （三）、外加电场沿X方向 Ey=Ez=0，椭球方程为： 情况与沿Y方向加电场一样，电光效应太弱，没有使用价值。 结论：KDP晶体仅沿光轴方向施加电场时有显著的电光效应，纵向 应用无自然双折射引起的相位延迟，而横向应用有自然双折射引起 的相位延迟。 五、电光调制应用 （一）、强度调制 电光强度调制器结构如图62。设通过起偏器P1后的偏振光振幅为Ex 光电子技术（12） 进入电光晶体后，分解为Ex’和Ey’两个分量： 设通过电光晶体后，Ex’和Ey’两分量的相对相位延迟量为?，则两分量的复振幅为： 通过检偏振器P2后的复振幅为： 光电子技术（12） 透过检偏振器P2后的光强为： 讨论：（1）小信号非线性调制，Iy∝?2。 （2）直流偏置线性化。加直流V?/4电压设置静态工作点在半 高点，即 则， 光电子技术（12） （3）加四分之一波片线性化。在调制器前或后面加四分之一波片， 使四分之一波片的快、慢轴分别与x’、y’轴平行，同样有： （二）、相位调制 如果只调制光的位相，而保持强度不变，则实现位相调制。如图63 所示，设置起偏振方向与调制器容许的偏振方向一致。透射光的相 位调制正比于沿y’方向偏振的光的折射率变化： 对纵向调制KDP晶体，?ny’=n03?63Ez/2，所以，光波的初相位调制量： 光电子技术（12） 六、电光高频调制 （一）、电光晶体的等效电路 电光晶体等效为电容C与电阻R的并联，如图64，它的阻抗为： 当调制频率?m足够高时，Zc=1/ ?mCRs，Rs为信号源内阻。此时 信号功率消耗在内阻上，不能有效加载到调制晶体上，为此，高频 调制时需要给晶体并联一电感L，L值大小由下式确定： 此时，总阻抗为RRs，所以调制功率能有效加载到晶体上。然而， *