半导体中的光吸收和光探测器重点.pptVIP

PIN光探测器的结构和原理图 I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子—空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率。两侧P+层和N+层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层， 因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。另外，可通过控制耗尽层的宽度W，来改变器件的响应速度。 光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于下图。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。APD就是根据这种特性设计的器件。 三、雪崩光电二极管(APD) 根据光电效应，当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子—空穴对。如果电压增加到使电场达到200kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子—空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。 APD载流子雪崩式倍增示意图 APD的结构有多种类型，如下图示出的N+PΠP+结构被称为拉通型APD。在这种类型的结构中，当偏压加大到一定值后，耗尽层拉通到Π(P)层，一直抵达P+接触层，是一种全耗尽型结构。拉通型雪崩光电二极管(RAPD)具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。 由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用， 并把倍增因子g定义为APD输出光电流I0和一次光生电流IP的比值。 倍增因子 显然，APD的响应度比PIN增加了g倍。根据经验，并考虑到器件体电阻的影响，g可以表示为 式中，U为反向偏压，UB为击穿电压，n为与材料特性和入射光波长有关的常数，R为体电阻。当U≈UB时，RI0/UB1，上式可简化为 雪崩倍增效应不仅对信号电流而且对噪声电流同样起放大作用，所以如果不考虑别的因素，APD的均方量子噪声电流为 〈i2q〉=2eIPBg2 这是对噪声电流直接放大产生的。事实上，雪崩效应产生的载流子也是随机的，所以引入新的噪声成分，表示为附加噪声因子F。 F(1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数，设F=gx，APD的均方量子噪声电流应为 〈i2q〉=2eIPBg2+x 式中， x为附加噪声指数。 过剩噪声因子 附加噪声指数x与器件所用材料和制造工艺有关，Si-APD的x=0.3~0.5，Ge-APD的x=0.8~1.0，InGaAs-APD的x=0.5~0.7。 下页表列出半导体光电二极管(PIN和APD)的一般性能。 APD是有增益的光电二极管，在光接收机灵敏度要求较高的场合，采用APD有利于延长系统的传输距离。但是采用APD要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路，结果增加了成本。因此在灵敏度要求不高的场合，一般采用PIN-PD。 Si-PIN和APD用于短波长(0.85μm)光纤通信系统。InGaAs-PIN用于长波长(1.31μm和1.55μm)系统，性能非常稳定， 通常把它和使用场效应管(FET)的前置放大器集成在同一基片上，构成FET-PIN接收组件，以进一步提高灵敏度，改善器件的性能。 四、光电二极管一般性能和应用 2．间接吸收的吸收系数 在图7.1-4所表示的间接带隙跃迁中，两种从初态至终态的跃迁方式都必将伴随有声子的发射和吸收，在不考虑多声子吸收时，则有 (7.1-13) 式中Es为声子能量，尽管Es与Eg相比一般是很小的，但声子的发射与吸收都将影响吸收曲线在吸收边附近的形状，或使吸收曲线的长波限发生漂移。为了区分声子的发射和吸收对吸收系数的贡献，而把间接跃迁吸收系数?i表示为 (7.1-14) 式中?e和?a分别为发射声子和吸收声子时的吸收系数，并且有 (7.1-15) (7.1-16) 经推导(p175～176) 由吸收声子所引起的吸收系数为 式中c为随?缓变的函数。 声子发射时的吸收系数为 (7.1-22) (7.1-23) 经推导(p175～176) 由吸收声子所引起的吸收系数为 式中c为随?缓变的函数。 声子发射时的吸收系数为 (7.1-22) (7.1-23) 间接带隙跃迁的吸收系数为 (7.1-24) 以上只是考虑了一种类型的声子。深入的分析还应区分纵波声学声子、横波声学声子、纵波光学