LED封装技术201308详解.docxVIP

LED封装技术概要摘 要该文主要概述的LED封装过程中提高性能注意事项，以及对在光电性能均符合要求的基础上，对封装样品的可靠性进行评估与验证，并对失效现象进行分析的理论基础。通过可靠性试验与进行失效分析，及时发现封装设计缺陷（特别是集成封装），并对封装工艺与设计方案的改善提供一定依据；以及对封装产品的应用设计，特别是对散热要求设计提供一定参考，避免超出最大承受的应力所造成的的产品非正常失效。一、LED封装（真对白光）技术性能参数控制1.1 提高LED封装光效：（1）选取高发光效率的芯片；（2）提高荧光粉的激发效率（薄膜式涂布；芯片波长与发光粉的激发波长匹配，即芯片发出光谱绝大部分能激发荧光粉）；（3）COB封装选用大粒径的荧光粉（13um,良好的流动性与分散性有利于颗粒均匀分布；粒径过大缺点，沉降快）；（4）蓝光芯片波长选定与荧光粉受激发波长匹配（确定封装性能要求，依据CIE色度图选择适合波长的芯片与对应的荧光粉）；（5）降低LED热阻；（6）提高芯片出光效率（接合界面折射率匹配，高透光率的材料【抗UV，防黄变，耐高温】）。1.2LED封装光强空间分布，光色均匀性：出光通道，荧光粉粒度大小，荧光粉调配防粉沉降，荧光粉涂布工艺精度（均匀度）。1.3 色温与显色性控制：荧光粉涂布与均匀性控制。（eg低色温显色性控制，采用波长450-452nm的蓝光芯片；荧光粉选择弥补光谱缺陷,如采用长波红粉（640或650nm））。荧光粉与灌封胶的混配比例控制以及点胶胶量的控制。1.4 AC-HV-SIP 封装1.4.1.AC-HV驱动：将驱动的效率提高10%-20%；将驱动的价格降低10%-20%。1.4.2. HV芯片制作：芯片级实现微晶粒串并联，低电流高电压，简化芯片固晶，键合数量，封装成本降低。单位面积内形成多颗微晶粒集成，避免芯片间BIN内波长电压亮度跨度带来的不一致；（缺点：出光面减小，出光均匀性与眩光加剧；芯片热阻大）1.4.3.SIP 系统式封装：SiP（System in Package）是在系统芯片System on Chip（SOC）基础上发展起来的一种新型封装集成方式。对SiP－LED在一个封装内组装多个发光芯片，以及各种不同类型的器件（如电源、控制电路、光学微结构、传感器等）集成在一起，构建成一个更为复杂的、集成度高的完整系统。注：针对该种封装方式，在封装技术工艺条件较差情况下，首先应该进行IC，电子元器件，以及LED芯片的各自独立封装后再组成电路系统，对系统性能进行测试与验证，再进行可靠性实验与失效分析，及时发现关键组件的缺陷与应用设计缺陷。确认无误后再进行SiP封装测试与试验。这样容易找出问题原因（器件缺陷，设计缺陷，还是封装工艺缺陷）。二、LED封装关键材料简要分析2.1 芯片工作电流确定：不同尺寸芯片的导热性能不同(同样电流密度的芯片，大尺寸的芯片优于小尺寸的芯片；即大尺寸的芯片工作电流较大)；不同材料芯片对温度的敏感程度不同（红光芯片耐受温度强）2.2 灌封胶作用：对芯片进行机械保护，应力释放；一种光导结构；折射率介于芯片和空气之间，减少光损失。【灌封胶需抗UV，防黄变，耐高温】。2.3硅胶作用：透镜填充硅胶；LED固晶硅胶按分子链基团的种类分：甲基系有机硅胶（大部分，耐侯性更好）；苯基系有机硅胶（成本高，折射率更好）。2.4 基板陶瓷：是Al2O3，chips 衬底也是Al2O3，热膨胀系数相近，不会因温度变化而晶粒开焊导致光衰和死灯。金属铝基板：热膨胀系数至少比晶粒衬底大4 倍，温度变化容易带来可靠性问题。三、LED封装的可靠性3.1 降低热阻，提高散热LED散热路径：芯片-粉胶层（-硅胶-透镜）-环境；芯片-金线-电极-环境；芯片-固晶胶（-热沉-固晶胶）-铝板-环境。高导热系数材料，导热能力匹配。各路径关键材料工艺控制（荧光粉胶层厚度；电气连接（金线铝线直径以及引脚材料）；固晶银胶（AuSn或AgSn共晶）厚度，热沉与铝片的粘合胶改为金属焊接）3.2防ESD技术芯片底衬加齐纳二极管（内置或外置）；制造过程防ESD；3.3机械应力防范（热膨胀系数-CTE匹配）主要是不同材质的接触表面四、LED失效分析4.1 失效模式（影响因素）芯片，封装（材料结构性能），热过应力，电过应力，装配共五种4.1.1 芯片（ESD损伤）芯片材料缺陷、电极材料劣化、PN结结构损伤、芯片电极欧姆接触不良及芯片污染等引起的失效。蓝光LED自身衰减。外延芯片位错、缺陷、表面和周边产生电漂移及离子热扩散。4.1.2封装LED支架失效：银层与空气中硫化氢、 氧化合物、酸、碱、盐类反应，或经紫外线照射，发黄发黑，并导致密封胶和支架剥离。键合线失效：金线失效--虚焊脱焊，工艺不当，芯片表面氧化和铝的金属间化合物；“紫斑”（AuAl2）和“白斑