光电技术第6章2.ppt

第6章 发光器件与光电耦合器件 6.1.3 LED的特性参数 1. 发光光谱和发光效率 2. 时间响应特性与温度特性 3. 发光亮度与电流的关系 4. 最大工作电流 5. 伏安特性 6. 寿命 6.1.4 驱动电路 6.4.1 光电耦合器件的结构与电路符号 2 光电耦合器件的特点 6.4.2 光电耦合器件的特性参数 2.隔离特性 3.光电耦合器件的抗干扰特性 6.5 光电耦合器件的应用 6.5.2 用于逻辑门电路  6.5.3 隔离方面的应用 6.5.4 可控硅控制电路中的应用 光电耦合器件的传输特性就是输入与输出间的特性，它用下列几个性能参数来描述。 1.传输特性 在直流工作状态下，光电耦合器件的集电极电流Ic与发光二极管的注入电流IF之比定义为光电耦合器件的电流传输比，用β表示。 （1）电流传输比β (2) 输入与输出间的寄生电容CFC (3) 最高工作频率fm 频率特性分别取决于发光器件与光电接收器件的频率特性，由发光二极管与光电二极管组成的光电耦合器件的频率响应最高，最高工作频率fm接近于10MHz，其他组合的频率响应相应降低。 当CFC变大时，会使光电耦合器件的工作频率下降，也能使其共模抑制比CMRR下降，故后面的系统噪音容易反馈到前面系统中。对于一般的光电耦合器件，其CFC仅仅为几个pF，一般在中频范围内都不会影响电路的正常工作，但在高频电路中就要予以重视了。 （4）脉冲上升时间tr和下降时间tf 光电耦合器在脉冲电压信号的作用下的时间响应特性用输出端的上升时间tr和下降时间tf描述。如图6-36所示为典型光电耦合器件的脉冲响应特性曲线。 (1) 输入与输出间隔离电压BVCFO ~ 光电耦合器的输入（发光器件）与输出（光电接收器件）的隔离特性可用它们之间的隔离电压BVCFO来描素。一般低压使用时隔离特性都能满足要求，在高压使用时，隔离电压成为重要的参数。已经可以制造出用于高压隔离应用的耐压高达几千伏或上万伏的光电耦合器件。 (2)输入与输出间的绝缘电阻RFC 光电耦合器隔离特性另一种描述方式是绝缘电阻。光电耦合器的隔离电阻一般在109～1013Ω之间。它与耐压密切相关，它与β的关系和耐压与β的关系一样。 (1)光电耦合器件抗干扰强的原因 ① 光电耦合器件的输入阻抗很低，一般为10Ω~1kΩ；而干扰源的内阻很大，为103~106Ω。按分压比计算，能够馈送到光电耦合器件输入端的干扰噪声变得很小。 ② 由于干扰噪声源的内阻很大，干扰电压供出的能量却很小，只能形成很弱的电流。而发光二极管只有在通过一定的电流时才能发光。因此，被它抑制掉。 ③ 光电耦合器件的输入、输出是用光耦合的，且被密封在管壳内，不会受到外界光的干扰。 ④ 光电耦合器件的输入、输出间寄生电容很小(为0.5 ~ 2pF)，绝缘电阻大(为1011~1013Ω)，因而输出系统的各种干扰噪音很难通过光电耦合器件反馈到输入系统。 6.5.1 用于电平转换 工业控制系统所用集成电路的电源电压和信号脉冲的幅度常不尽相同，如TTL的电源为5V，HTL为12V，PMOS为－22V，CMOS则为5~20V。如果在系统中必须采用二种集成电路芯片，就必需对电平进行转换，以便逻辑控制的实现。 图6-39所示为利用光电耦合器件实现PMOS电路的电平与TTL电路电平的转换电路。光电耦合器件不但使前后两种不同电平的脉冲信号耦合起来而且使输入与输出电路完全隔离。 利用光电耦合器件可以构成各种逻辑电路，图6-40所示为两个光电耦合器组成的与门电路，如果在输入端Ui1和Ui2同时输入高电平1，则两个发光二极管GD1和GD2都发光，两个光敏三极管TD1和TD2都导通，输出端就呈现高电平“1”。若输入端Ui1或Ui2中 有一个为低电平“0”，则输出光电三极管中必有一个不导通，使得输出信号为“0”，故为与门逻辑电路，Uo= Ui1· Ui2。 光电耦合器件还可以构成与非、或、或非、异或等逻辑电路。 图6-41所示典型应用电路中左侧的输入电路电源为13.5V的HTL逻辑电路，中间的中央运算器、处理器等电路为+5V电源，后边的输出部分依然为抗干扰特性高的HTL电路。 将这些电源与逻辑电平不同的部分耦合起来需要采用光电耦合器。 输入信号经光电耦合器送至中央运算、处理部分的TTL电路，TTL电路的输出又通过光电耦合器送到抗干扰能力高的HTL电路，光电耦合器成了TTL和HTL两种电路的媒介。 有时为隔离干扰，或者为使高压