配位场理论和络和物结构教程方案.ppt

二、d轨道中电子的排布—高自旋态和低自旋态 1、分裂能Δ和成对能P （1）分裂能：八面体络合物，电子由t2g轨道跃迁到eg轨道所需要的能量，即能级差Eeg-Et2g=Δ0即分裂能。以Δ表示。 一、ML6 正八面体络和物中的σ-配键 1、将中央离子和配位体的价轨道进行分类，看看哪些是σ型，哪些π型，中央离子共有9个价轨道可参与形成分子轨道 σ型：dx2-y2 dz2 s px py pz π型：dxy dyz dxz 配位体L按能与中心原子生成σ键或π键轨道分别组合成新的群轨道，使与M的原子轨道对称性匹配。 2、形成σ键和络合物 为了满足对称性一致原则，配位体的σ轨道还要进行组合，组合成和中央离子的σ轨道（σ型）对称性匹配的群轨道。 中央离子的σ型轨道（六个）与配体的对称性一致的群轨道相互组合（重叠）形成配合物的σ分子轨道。 二、ML6 正八面体络和物中的π -配键 1、配体→ 金属的π-配键 若配位体的π轨道是低能的占据轨道，它们和中心离子的t2g轨道组成 π 型分子轨道。能级图如下： 2、金属→配体的π 配键 若配位体的π轨道是空的，而且比中心原子的d轨道能量高。 由上可知，分裂能值大小与配体和中心原子之间σ键及π键 的成键效应有关。 1、如果配体为强的π电子给予体，形成配体→ 金属的π配键，则分