微波控制电路课件.pptx

微波控制电路 目录 PN结 PIN二极管 开关和衰减器 移相器 PN结 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。 P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。 PN结耗尽层——PN结的空间电荷区是一个完全不存在载流子的区域。 电子和空穴都被耗尽 PN结中多子从浓度大向浓度小的区域扩散产生扩散电流。载流子在热运动的同时，由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动，所构成的电流为漂移电流。 零偏置下扩散电流等于漂移电流 PN 结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置) 内电场 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 2. 外加反向电压(反向偏置) 外电场使少子背离 PN 结移动，空间电荷区变宽。 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 变窄 结论 ID IR PN 结的单向导电性：正偏时导通，结电阻很小，电流较大; 反偏时截止，结电阻很大，电流近似为零。 电流较大 电流近似为零 正向电压 反向电压 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十μA 击穿电压 反向饱和电流 开启电压 伏安特性曲线 反向击穿 当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为(PN结)反向击穿，并定义UBR为(PN结)反向击穿电压。 PN结的电容效应 1) 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2) 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ PIN二极管 在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管。重掺杂p区和n区和电阻率极高的p或n。 概念 一些要点 使耗尽层达到N+区的电压叫做穿通电压。 流过两元件的电流相等时的频率，叫做弛豫频率fR。 二极管I区电阻率不低于100欧厘米，对应fR=1.53GHZ。 I区电阻率可由I区宽度测出，I区宽度一般已知。 渡越时间与载流子寿命 概念：上游信号传到下游的时间。 300K室温，渡越频率f=1300/w2，w为I区宽度，单位微米。 I区宽度一般是25到250微米。 二极管载流子寿命典型值是0.1-10微秒。 由载流子寿命，可证明I区总计累电荷是由偏置电流产生，不由瞬时值决定。 R和截止频率 正向偏置Ri=W2/(2μτI) 反向偏置结点容 电容越小，开路越好 R越小，损耗越小，短路越明显 Fc=1/(2πCj√(RiRf)) 射频功率极限 正向偏置，二极管管芯电阻约为1欧姆。 300到400摄氏度是二极管承受极限。 在一定稳定范围，温度越高，寿命越短。 反向偏置下，V击穿电压 一般额定电压设定为击穿电压的二分之一。 开关、衰减器和移相器 微波开关 通过控制实现开，关两种状态的组件。 微波开关分类(一) 反射和吸收 反射式开关是通过PIN二极管导通时把输入的微波信号反射回去而起到隔离作用的，因此在“开”状态下的驻波较好，而在“关” 状态下的驻波很差； 吸收式开关则采用了负载吸收PIN二极管导通时的反射信号，从而改善了端口驻波，因此其“开”与“断”状态下的驻波都比较好。通常，反射式开关的承受功率要比吸收式开关大些。从工程应用的角度来讲，虽然其价格稍高，但是我们建议选用吸收式开关，因为在关断状态它可以降低系统的级间牵引。 微波开关分类（二）  开关相关参数 1 频率范围 ：微波开关范围一般从几十兆到几十吉赫兹 2 插入损耗 ：接入电路的损耗，一般损耗从0.5到3dB。 3 驻波比：波幅电压和波谷电压幅度之比。和匹配有关，1.3dB以上 4 隔离度：各端口直接的隔离。范围40-80dB。 5 开关时间：改变开关状态所需时间，50-1000ns。 6 功率：平均功率2W以上一般定义为大功率开关。 衰减器 衰减器是一种提供衰减的电子元器件。 它的主要用途是： （1）调整电路中信号的大小； （2）在比较法测量电路中，可用来直读被测网络的衰减值； （3）改善阻抗匹