自考线性电子电路课本知识总结.docVIP

1.自然界中的物质按其导电性能不同,可分为导体,半导和绝缘体.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间. 2.当半导体受热或光照激发时,某些电子从外界获得足够的能量而挣脱共价键的束缚,离开原子成为自由电子,同事在共价键中留下相同数量的空穴,这种现象称为本证激发. 3.N型半导体,这类型半导体将以自由电子导电为主,因此自由电子称为多数载流子,而空穴成为少数载流子. 4.P型半导体,这类型半导体将以自由电子导电为主,因此空穴称为多数载流子,而自由电子成为少数载流子. 5.PN结的形成过程:a.将P型半导体和N型半导体接触在一起.b.在接触面附近由于载流子浓度的差异而引起扩散运动(多数载流子因浓度差而产生的运动).c.由于扩散运动形成内电场(N→P).d.内电场形成后,阻碍多数载流子的扩散运动,而促进少数载流子的漂移运动.(少数载流子的电场力的做有限的运动)e.当两做运动达到动态平衡,就会在接触面附近形成宽度一定的电荷区,就是PN结. 6.PN结的导电特性：a.单向导电性b.加正向电压(P为正.N为负)PN结正向导通.空间宽度变窄.内电场减弱.流过PN结的正向扩散电流变大.PN结呈现很小的电阻c.加反向电压(P为负.N为正).PN结反向截止.空间宽度变宽.内电场增强.流过PN结的正向扩散电流变小.PN结呈现较大的电阻. 7.半导体二极管结构的特点:a.点接触型二极管的特点,接触面小,允许流过的瞬时电流小.结电容小,用于高频电路b.面接触性二极管的特点,接触面大,允许流过的瞬时电流大.结电容大.用于整流电容.8.所形成的外加电场还不足以克服内电场的作用,即不足以破坏PN结的动态平衡状态,因此这时候的正向电流几乎为零,这段区间称为死区. 9.反向击穿特性.a.雪崩击穿:该电场有利于少数载流子的漂移运动,使少数载流子在耗尽区获得加速,其动能增加,它们将与耗尽区内的原子共价键相碰撞,产生新的电子-空穴对.当反向电压增大到足以使这种碰撞产生新的电子-空穴对时,新生电子在得到足够能量后,又与其它原子碰撞,最后致使反向电流像雪崩一样增加,于是PN结就发生了雪崩击穿(低掺杂浓度的PN结较厚,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中电场随之增加)b.齐纳击穿:在外加电压大到某一值后,所产生的电场能将耗尽区内原子共价键的电子拉出,产生新的电子-空穴对,行程较大的反向电流,致使PN结齐纳击穿.(高掺杂浓度的PN结很薄,反向电压作用下,将在PN结耗尽区产生很强的电场) 10.半导体中存在着哪两种载流子?本征半导体的温度特性如何?答:自由电子和空穴...本征半导体温度升高,导电性升高. 11.何为二极管的伏安特性?它分为哪三个区?答:端电压和流过电流的关系.正向导通,反向截至和反向击穿三个区. 12.如何用万用表Ω档来辨别二极管的阳极与阴极?答:如果测得电阻大.则红为阳极.黑为阴极. 13.二极管使用时,如超过其最大整流电流或最反向工作电压时,二极管分别将产生那种损坏?答:达到击穿电压. 14.温度增高时,二极管的正向特性曲线是向右移,还是向左移,反向特性曲线是向上还是向下移?答:随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。可将感受到温度变化转换成电压的变化量。 15.何为二极管的直流电阻或交流(微变)电阻?答:曲线上各点对应的直流电压V与直流电压I的比值定义为等效直流电阻R;在伏安曲线上选定某点Q为直流工作点,Q点坐标为(V,I),则Q附近电压变化量与电流变化量之比称为二极管的微变电阻. 16.什么是二极管的开关特性?答:正向导通反向截止. 17.稳压二极管(又叫齐纳二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件. 18.变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管。是一种利用PN结电容（ 变容二极管势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管. 19.BJT的基本组态有三种：共基极[基极接地]组态（CB组态）、共发射极[发射极接地]组态（CE组态）和共集电极[集电极接地]组态（CC组态）。 20.要使BJT 具有放大作用，发射结和集电结的偏置电压应如何联接？答：要使BJT 具有放大作用，必须满足三极管放大的内部条件和外部条件。外部条件为发射结必须正偏，集电结必须反偏。 21.既然BJT 具有两个PN 结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。答：BJT 要实现放大作用，首先满足其内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很薄；集电结的结面要大。仅用两个二极管相联构成的BJT 不能满足上述三极管具有放大的内部条件，因此不能用两个二极管相联以构成一只BJT。 22.小结BJT 三极管内部结构的特点。答：BJT 能进行放大，必须满足