第03讲2.42.5.pptVIP

* 2.3 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的参数 第3讲 半导体二极管图片 实物图片 2.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 （正极） （负极） 2.3.2 二极管的V-I特性 二极管的V-I特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 ——二极管方程 2.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容C 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.4.1 二极管正向V- I 特性的建模 2.4.2 模型分析法应用举例 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 条件：电源电压远大于管压降。 条件：iD≥1mA。 条件：同2。Vth=0.5V rD=(0.7-0.5)V/1mA=200Ω 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 （Q点处斜率的倒数） ,取iD对vD的微分， 2.4.2 模型法应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 例2.4.1 设简单二极管电路如图2.4.5a所示，R=10k?，对于下列两种情况，求电路的ID和VD值： （1）VDD=10V ；（2）VDD=1V 在上两种情况下，分别应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。 2.4.2 模型法应用举例 解： 理想模型 （1）VDD=10V 时 恒压降模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） mA 931 . 0 D th DD D = + - = r R V V I 设 （2）VDD=1V 时 （自看，注意结果分析） 2.4.2 模型分析法 应用举例 2. 限幅电路 -------让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分。 （1）当 vi=0V、4V、6V时，求输出电压vo的值 （2）当vi=6sinωt V时，绘出vo的波形。 u O - + D ( a) V REF u I - + R 例2.4.2 一限幅电路如图2.4.6a所示，R=1kΩ，VREF=3V. 图 2.4.6a 分析：由于输入电压不高，用折线模型较合理 2.4.2 应用举例 vo =VREF+Vth+（ vi – VREF -Vth ）rD/(rD+R） 当vi=6V时， vo =VREF+Vth+（ vi – VREF -Vth ）rD/(rD+R） =3.5V+(6V-3.5V)×0.2/1.2=3.917V 解： 当vi=4V时， vo =VREF+Vth+（ vi – VREF -Vth ）rD/(rD+R） =3.5V+(4V-3.5V)×0.2/1.2=3.583V （2）当vi=6sinωtV时，绘出vo的波形。 当vi=0~3.5V时，二极管截止， vo= vi =0~3.5V 2.5 特殊体二极管 2.5.1 稳压二极管 *2.5.2 变容二极管 * 2.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 2. 发光二极管 3. 激光二极管