第六章_电阻版图设计分解.ppt

Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻匹配 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 care matching not care absolute value ↓ ↑ finger layout 电阻匹配 care matching and absolute value ↓ Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻匹配 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻匹配 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻匹配 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻匹配 1.可以将接“干净”电源的场板置于电阻下 2.N阱区由助于阻止衬底噪声注入到传导层 3.大面积电阻可能会将衬底噪声耦合到电阻中 4.电阻和置于电阻上的场板，需要在仿真时考虑到这样的 寄生电容 5.低噪声设计需要在电阻上方覆盖一层金属场板，且可能 需要使用阱来隔绝噪声 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻匹配 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻匹配 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 本章重点内容 1.熟练掌握CMOS工艺中各种电阻的结构及其特点 2.熟练掌握阱电阻、N+电阻、P+电阻、Poly电阻的Layout 和剖面图 3.熟练掌握以上各种电阻的特点，并根据实际电路需要，选 择合理的电阻 4.熟练掌握匹配电阻的布局 5.了解使用Trimming技术对电阻进行微调 偏差 偏差 Min Typ Max Min Typ Max N阱 900 1000 1100 10% N+ 60 65 70 8% P+ 155 170 185 9% Poly1 15 19 23 23% Poly2 48 55 62 13% HPoly2_1 80/10 910 1080 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 温度变化 温度系数 TCR ppm/℃ +3800 +4000 +3700 +1500 +600 +2500 +3000 -1000 +1000 +6000 材料 铝（块状） 铜（块状） 金（块状） 160Ω /基区扩散 7Ω /发射区扩散 5KΩ /基区收缩扩散 2KΩ /高值薄膜电阻（P 型） 500Ω /多晶硅电阻（4KA N型） 25Ω/□多晶硅电阻（4KA N 型） 10KΩ /N阱 电阻阻值变化 几种材料在25℃时的典型温度系数 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻阻值变化 非线性 多晶电阻制作于场氧上方，场氧在多晶和衬底之间起 绝缘作用，散热性差，所以多晶电阻容易受自加热的影 响。 使用多晶电阻时绘制长度不能太短，减小多晶晶粒非 线性的影响。 电阻 类型 尺寸 方块电阻阻值 偏差 电阻 类型 尺寸 方块电阻阻值 偏差 Min Typ Max Min Typ Max Poly1 Cont 0.5X0.5 0 3 10 --- Poly2 Cont 0.5X0.5 0 12 20 --- N + Cont 0 25 100 --- P + Cont 0 90 200 --- Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻阻值变化 接触电阻 每个电阻至少有两个接触孔，每个接触孔都会增加电阻 的阻值。 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻阻值变化 接触电阻 M1 绝缘层 Poly 场氧 P-sub poly1的接触电阻典型值为3欧姆， poly2的接触电阻典型值为12欧姆 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 N+ M1 M1 N+ N+ P-sub M1 P-sub P-sub P+ M1 Nwell N+ N+接触电阻典型为25 Nwell N+接触电阻典型为25 P+接触电阻典型为90 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 本章主要内容 6.1