第三章高频功率放大器分解.ppt

* 工作频率和使用场合不同，电路组成形式也不同。 * 工作频率和使用场合不同，电路组成形式也不同。 * 工作频率和使用场合不同，电路组成形式也不同。 * 工作频率和使用场合不同，电路组成形式也不同。 * LB、CB 阻止交流流经RB，使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB，使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB，使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB，使RB上获得稳定的直流电压。 * LB、CB 阻止交流流经RB，使RB上获得稳定的直流电压。 * * * * * * 二、基极偏置电路 欲使晶体管工作于丙类，基极应加反向偏压或小于UBE(on)的正向偏压。 + – VBB IB0 RB CB LB IB0 LB + – +VCC RB1 CB LB RB2 VBB 自给偏置电路 分压式基极偏置电路 利用IB0 流经RB产生偏压电压：VBB= －IB0 RB 调节RB ，可调节反偏电压大小。 利用LB中的固有直流电阻获得偏置电压 在实际电路中，VBB不是用电池获得，因此通常用上述图的方法产生VBB。 A图，从耦合电容耦合到基级的输入是纯交流，当其振幅超过导通电压后，晶体管导通，产生余宣脉冲，其中包含直流分量从发射级经偏置电阻Rb流向基级，在Rb上产生所需要的负偏压。 B图，利用基级电流中包含的直流分量在基区体电阻上产生的压降设置所需要的负偏压，优点，电路简单，缺点，体电阻数值小，且不稳定，一般只在需要小的压降时采用。 C图，实质是直流电流反馈，电流中的高频经旁路电容滤掉，只有直流成分在Re上产生压降。 + – VBB IB0 RB CB LB IB0 LB 自给偏置电路 自给偏置效应 自给偏置电路中，未加输入信号时iB=0，则偏置电压也为零。 当输入信号幅度加大时，iB脉冲增大，则直流分量 IB0 也增大，反向偏压随之增大。 这种偏置电压随输入信号幅度而变化的现象称为自给偏置效应。 + – +VCC RB1 CB LB RB2 VBB 分压式基极偏置电路 由于自给偏压效应，图中基极偏置电压动态值要比静态值小。 小结 谐振功率放大器直流馈电电路： 集电极：串馈、并馈 基极：自给偏压（只产生反偏压）、分压式 3.4 丁类谐振功率放大器 主要要求： 了解丁类谐振功放的工作原理 一、提高功放效率的方法 提高功放效率的方法： ?t uBE O VBB uBE(on) ? ?t iC O ? iCmax VCC uc ?t uCE O 1.减小θ 2.减小 iC uCE 丙类； 有限制 各种高效率谐振功放的设计基础, 如丁类 要减小PC ?t uBE O VBB uBE(on) ? ?t iC O ? iCmax VCC uc ?t uCE O 减小 iC uCE 使放大器工作于开关状态： 晶体管导通时iC≠0 ，令uCE最小，约为零（饱和导通）； 而当晶体管截止时iC=0，uCE≠0 。 因此，iC uCE很小，理想情况下效率可达100% 。 思路: 二、丁类谐振功率放大器 + ui – + ub1 – – ub2 + + uo – RL C A L 电压开关型丁类功放原理图 +VCC V1 V2 V1、V2 两管同类型 且特性相同 两管的激励电压ub1和ub2 大小相等，极性相反。 两管的负载是L、C、R L构成的串联谐振回路 设ui 为足够大的正弦波，则两管轮流饱和导通。 + ui – + ub1 – – ub2 + + uo – RL C A L 电压开关型丁类功放原理图 +VCC V1 V2 工作原理： 当回路调谐于输入信号频率，且Q值足够高时， 负载RL上得到不失真的输出电压 uo 。 ?t uA O VCC UCE(sat) ?t uo O io uo 丁类谐振功放中的两管均工作于开关状态，每管均为半周导通、半周截止。 导通时，管压降约为零；截止时，管压降很大，但电流为零，因此管耗很小，功放效率很高。 小结：丁类谐振功率放大器工作原理 丁类谐振功放的问题： 高频工作时，由于管子结电容和电路分布电容的影响， uA的波形有一定的上升沿和下降沿，因而产生较大的动态管耗。 频率越高，动态管耗影响越大，效率下降。因此丁类谐振功放的效率受管子开关特性的限制。 * * 它用作固定频率的选频放大器 * * * uCE能大于VCC ，是由于存在储能元件。 * uCE能大于VCC ，是由于存在储能元件。 * * 它用作固定频率的选频放大器 * * 在过压区，PD比PO下