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單元二 PN二極體 單元能力目標 評量標準及配分 能了解PN二極體的特性 能了解二極體對溫度的影響 能畫出二極體的三大近似特性曲線及等效模型 能進行理想二極體計算 能了解PN二極體的特性 45分 能了解二極體對溫度的影響 10分 能畫出二極體的三大近似特性曲線及等效模型 15分 能進行理想二極體計算 30分 一、重點整理 1.對於PN二極體之空乏區如未加上偏壓時，空乏區應含有不動之正離子與負離子 2.在室溫下，未加偏壓之PN二極體，在PN接面附近的狀況為P端帶負電，N端帶正電 3.電源正端接二極體P端、負端接二極體N端稱為順向偏壓，空乏區的寬度變窄 4.電源正端接二極體N端、負端接二極體P端稱為逆向偏壓，空乏區的寬度變寬 5.二極體施以逆向電壓時，仍然有小量電流，是因少數載子的流動所導致，此小量電流稱為逆向飽和電流，俗稱漏電流 6.對鍺而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降1.0mV 7.對矽而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降2.5mV 8.對矽及鍺而言，溫度每上升10OC，逆向飽和電流 俗稱漏電流 增加一倍，公式為： 9.要能繪出二極體的實際特性曲線及三大近似特性曲線及等效模型 10.理想二極體順向時視為短路，逆向時視為開路 二、例題講解 1. 對於PN二極體之空乏區如未加上偏壓時，空乏區應含有不動之 離子與 離子。（評量1） 2. 電源正端接二極體P端、負端接二極體N端稱為 偏壓，空乏區寬度 。（評量1） 3. 對鍺而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降 mV。（評量2） 4. 對矽及鍺而言，溫度每上升10OC，逆向飽和電流 俗稱漏電流 增加 倍。（評量2） 5. 理想二極體順向時視為 路，逆向時視為 路。（評量4） 6. 如右圖所示，若D為理想二極體，則（評量4） 1 在10kΩ上的電壓和電流分別為何 2 在D上的電壓和電流分別為何 ? 7. 如右圖所示，若D為理想二極體，則（評量4） 1 在2kΩ上的電壓和電流分別為何 2 在D上的電壓和電流分別為何 8. 如圖所示之理想二極體電路，則電流I與C點電壓分別為 （評量4） 三、練習題 1.在室溫下，未加偏壓之PN二極體，在PN接面附近的狀況為P 型半導體帶 電，N 型半導體帶 電。（評量1） 2.電源正端接二極體N端、負端接二極體P端稱為 偏壓，空乏區寬度 。（評量1） 3.二極體施以逆向電壓時，仍然有小量電流，是因 數載子的流動所導致。（評量2） 4.對矽而言，溫度每上升1OC，障壁電壓下降 mV。（評量2） 5.請繪出二極體的實際特性曲線及三大近似解等效模型。（評量3） 6.如右圖若D反接，則（評量4） 1 在10kΩ上的電壓和電流分別為何 2 在D上的電壓和電流分別為何 ? 7.如右圖若D反接，則（評量4） 1 在2kΩ上的電壓和電流分別為何 2 在D上的電壓和電流分別為何 ? 8.如右圖所示之理想二極體電路，則電流I與C點電壓分別為 ? （評量4） 高二電子學基礎能力課程 開南商工電機電子群教學研究會 -1- 5K