基礎物理實驗結報居禮溫度測量週三班第八組.docVIP

Experiment C2 Optical Properties of Semiconductor 指導老師：張顏暉 週三　組別14 工科三 楊佩良 物理三 王宇廷 物理三 林昱廷 實驗日期：2009//6 2009/5/13 2009/5/20 Experiment C2 Optical Properties of Semiconductor 實驗目的 透過量測穿透光譜的實驗，了解半導體GaAs材料的基本光學性質。 實驗原理 由於不同的半導體會有不同的能帶結構，下圖是以GaAs為例： 其中Eg與溫度滿足下列的關係式： (1) 且Eg亦與半導體的材質有關： (2) 我們利用如下圖的實驗裝置： 由於將電磁波通過半導體材質時，會因材質的不同而發生不同的強度變化。 (3) 其中I是指通過半導體後的光強度，I0是指入射前的光強度，l是指光所通過半導體的寬度，而α為各種半導體材質的特性常數。我們藉由量測I與I0以求α。藉此了解其能帶的變化。 Light Source： 我們所使用的光源為鎢絲燈，之所以不使用日光燈，其原因為此次實驗所需用到的波長為800-1000nm，日光燈無法提供此波段的光，故不考慮。 Spectrometer： 由於鎢絲燈所包含的光波段很大，故我們須用Spectrometer來分出我們所需要的波段，其工作原理如下： 利用光柵來分出所需用到的波段。 Chopper and Lock-in Amplifier： Chopper為利用風扇將光的訊號作轉變，轉變如下： 而利用這種訊號，再輸入到Lock-in Amplifier後，可將Detector所測得的訊號放大，但卻不會放大雜訊，以得到較優的訊號品質。 實驗步驟 先將儀器開啟，確認每項細節是否運作正常。 將波段先調至可見光，並利用此可見光調整光路，使Detector能偵測到訊號。 設定光的掃描波段為800-1000nm。 一切設定完成後，蓋上黑布，減少外來光源的訊號影響， 開始做第一次無GaAs的測量，以做為參考值。 放入GaAs，蓋上真空罩，做一次測量。 開始抽真空，幫完成真空後，開始降溫，每50k做一次測量。 溫度由常溫測至20k即完成實驗。 將溫度先升回常溫，再進行洩氣，以免實驗裝置結霜。 利用電腦進行所得數據分析。 實驗結果 穿透率分布 穿透率=（有樣品時的訊號）/（無樣品時的訊號） 圖一（升溫）與圖二（降溫）相比較，可以發現圖一的穿透率穩定保持在0.03到0.04間，而且溫度越低時，吸收波長越短，符合理論，故以下的數據分析皆使用圖一的資料來討論。此部份可參照實驗討論。 二、不同溫度下的能隙值 根據 Beer-Lambert Law 　穿透率 以及經驗公式　 利用同溫下穿透率差異明顯的兩點、來做逼近： 　 參考圖一，可以得到穿透率相差較大的區間，在此區間內，計算能隙的平均值： Eg (eV) 250 200 150 100 50 20 avg 1.3922 1.4092 1.4130 1.4294 1.4378 1.4349 將此數值，與經驗公式進行曲線Fit，得到各係數為，，。 Eg (eV) 250 200 150 100 50 20 平均值 1.3922 1.4092 1.4130 1.4294 1.4378 1.4349 Fit值 1.3930 1.4060 1.4177 1.4277 1.4349 1.4374 相對誤差 0.05% -0.23% 0.33% -0.12% -0.20% 0.17% 　 Eg(0) a b Fit 1.4379 3.63×10-4 255 參考值 1.5190 5.41×10-4 204 Fit值與實驗平均都相差在約0.3%以內，相對誤差正負值均有，故此誤差應來自隨機的系統誤差，Fit公式得到的係數與參考值相當接近，代表這次實驗還算準確。 實驗討論 　　實驗設定是利用冷卻機，採用「降溫」的方式來控制溫度，控制溫度前先抽真空，以減少降溫至20K的時間，然而，在降溫的過程中，卻發現冷卻機無法定溫，即使預先設定要降溫到某一溫度，但實際上，溫度的讀值會持續下降至超過預定的溫度，數值在個位數部份跳動，故在採樣波長計算穿透率的時候，實際上並非定溫過程，由室溫降溫至20K後得到的圖形即為圖二