生产实习报告word.docx

生产实习报告摘要：此篇报告为本人晶硅电池车间为期2个月的实习报告，主要分三个段分别从生产、工艺、质量三个方面对硅片到电池片的生产过程进行介绍。硅片来源代码 HRG6海润G6 GJGJ高佳 JIJI晶樱 HRSF海润顺风 JIHR晶樱海润 CG太仓协鑫 GCL保利协鑫 RN荣能1.超净段1.1制绒1.1.1目的：制绒就是利用硅片的机械损伤层（10um），通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。在硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞，增加电池片表面的受光面积降低反射率，从而提高太阳电池的转换效率，制绒减薄量8-12um/两面，湿法制绒后单晶反射率大概为10%-12%，多晶反射率为22-26%。1.1.2原理：单晶利用碱溶液在不同晶向上的腐蚀速率不同而产生“金字塔”（pyramid）结构， 有“倒金字塔”结构（inverted pyramid）；多晶硅表面只有少量的（111）晶面，所以利用HFHNO3混合液对硅的各向同性腐蚀特性，机械损伤处能量高不稳定，腐蚀更快，得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面，都可以提高硅片的陷光作用。目前公司所用制绒设备为RENA一代和二代机器，一代设备人称为RENA,而二代设备人称NIAK,为升级版，主要区别是一代为人工上下料，二代为机械自动上下料和自动装篮，二代机器控制界面要比一代功能强大。1.1.3多晶制绒工艺为：Rena InTex工艺主要包括三部分： 硝酸+氢氟酸 氢氧化钠 氢氟酸+盐酸在制绒整个过程中，硅片都浸没在溶液中，首先是硝酸在损伤层与缺陷处将硅片氧化，形成二氧化硅，然后氢氟酸与二氧化硅反应生成硅的络合物（H2SiF6）与水，这样去损伤层与制绒同时进行。 制绒之后的硅片经过NaOH溶液以液刀方式去除硅片表面的多孔硅，再经过DI水以液刀方式冲洗去掉表面残留的碱液。 最后利用HF与HCl的混合溶液以液刀方式除去硅片表面的各种金属离子等杂质，并用DI水冲洗酸性表面，最后用压缩空气风刀将硅片表面吹干。 所涉及的反应有：Si+4HNO3=SiO2+4NO2↑+2H2O SiO2+4HF=SiF4↑+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6HNO3-HF腐蚀原理此体系中生成的一氧化氮与HNO3产生亚硝酸 2、HNO2的产生是一个自催化的过程。 HNO2自身催化生成了更多的HNO2， HNO2生成速率越快，就有更多的氧化反应发生。 如果溶液中没有HNO2存在，腐蚀速率会大大降低（速率并不是零，仍然有相当的反应速率）3、硅在酸或碱溶液中的腐蚀可以看成硅在电解质水溶液中的电化学腐蚀。硅片表面由于存在微区杂质浓度的差异或局部微小缺陷及损伤，各个区域出现电位差，如n-Si中杂质浓度高的微区或缺陷损伤处电位较低，成为阳极;而相邻区域电位较高，成为阴极。腐蚀速度随掺杂浓度的增加而增加，高掺杂浓度的硅片的腐蚀速度是低掺杂浓度的硅片的10倍以上，所以不同片源的硅片制绒结果会有较大差异。 正因为没有HNO2存在腐蚀速率会大大降低，影响制绒效果，生产中有时为激活溶液常会添加NaNO2。 1.1.4制绒各槽参数：①制绒槽 液体体积为500L，HF浓度为70g/L，每100片硅片往储液罐里加0.48L HF，HNO3浓度为500g/L，每100片硅片往储液罐加0.55L HNO3。为保证制绒效果制绒槽温度设定为8±2℃预警，8±3℃报警；②碱槽液体体积为75L，NaOH质量分数为5%，而碱槽温度设定为20±10℃预警，20±15℃报警；③酸洗槽 液体体积为230L ，HF体积分数为40%，HCl体积分数为37%，酸洗槽反应温度为常温，每300片硅片往储液罐里加0.6L HF,加HCl 0.65L ④水洗槽基本无要求，温度为常温。制绒设备中有反应槽和储液罐，反应槽与储液罐形成一循环体系，生产过程中根据硅片数量由管道向储液罐加定量溶液，再由储液罐引出两根管道在硅片上下面形成液刀，液体再流向反应槽，当反应槽液面达到一定时能过管道流向储液罐，从而实现循环，为保证制绒效果需要定期换槽，将槽与罐中液体全部排空，再加规定剂量的溶液。1.1.5多晶制绒生产流程：领硅片→开盒→外观检查→上料→下料→装篮→倒篮→清洗→烘干→传片1.1.6制绒段生产质量控制及碎片率标准上料岗位生产质量控制：检查硅片是否有崩边、色差、线痕宽度大于15mm、毛边、碎片、脏片、连续性缺口、亮线、开盒不良等，需挑出分别集中放置处理 。下料岗位生产质量控制：制绒表面异常包括出片后带水、有黄斑、制绒面有较深的滚轮印、有脏污、有麻点、暗纹较重、黑斑。制绒段碎片率标准：上料碎片率0.3，小组内碎片率要求0.09，下料碎片率0.18，整个超净碎片率0.19，制绒段碎片主要由机器造成，正常情况下碎片率是不会超出标准的