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第一讲 X射线基本原理 第13章 现代分析测试方法 §13-1 X射线光电子能谱原理与应用 1.光电子发射 当X射线光子与样品作用，被样品原子的电子散射和吸收。 X射线易被内层电子吸收。若入射X射线能量（h ν）大于原子中电子的结合能及样品的功函数时，电子可以吸收光子的能量而逸出样品，形成光电子（内层电子电离后较外层电子跃迁填补空穴，同时发射X射线或俄歇电子） 可见，当入射X射线能量一定，测出功函数和电子的动能，即可求出电子的结合能。 由于只有表面处的光电子才能从固体中逸出，因而测得的电子结合能必然反应了表面化学成份的情况。这正是光电子能谱仪的基本测试原理。 2. 逃逸深度（λm） 与俄歇电子相同，只有那些来自表面附近在逃逸深度以内的光电子才没有经过散射而损失能量，才对确定Eb的谱峰有所贡献。 对于XPS 有用的光电子能量100~1200eV λm =0.5~2.0nm（金属） =4~10nm（高聚物） 逃逸深度与逸出角有关 θ为探测角，出射方向与面法线夹角 当θ = 0 ，垂直表面射出的电子来自最大逸出深度 当θ ≈ 90 ，近似平行于表面射出的电子纯粹来自最外表面几个原子层 改变探测角θ可调整表面灵敏度 二、XPS仪 X射线源