工程硕士现代电力电子技术第3章.ppt

第3章 电力半导体器件 §3.1概述 §3.2功率二极管 §3.3功率晶体管GTR §3.4晶闸管 §3.5静电感应器件 §3.6功率场效应晶体管 §3.7绝缘栅晶体管 §3.8 MOS场控晶闸管（MCT） §3.1概述 1956年美国贝尔公司发明了PNPN可触发晶体管，1957年通用电器（GE）进行了商业化开发，并命名为晶体闸流管，简称为晶闸管（thyristor）或可控硅（silicon controlled rectifier—SCR）。 由于晶闸管类器件基本上是换流型器件，其工作频率又比较低，由其组成的频率变换装置在电网侧谐波成分高，功率因素低。 70年代大功率晶体管（三极管）已进入工业应用阶段，它被广泛应用于数百千瓦以下的功率电路中，功率晶体管工作频率比晶闸管大大提高，达林顿功率晶体管可在10KHZ以下工作,非达林顿功率晶体管可达20KHz，出现了所谓“20KHz”革命，其缺点在于存在二次击穿和不易并联以及开关频率仍然偏低等问题，使其使用受到了限制。 70年代后期，功率场效应管（POWER MOSFET）开始进入实用阶段，这标志着电力半导体器件进入高频化阶段。在80年代又研制了电流垂直流动结构器件（VDMOS），它具有工作频率高（可达兆HZ），开关损耗小，安全工作区宽，几乎不存在二次击穿，输入阻抗高，易并联（漏源电阻为正温度特性）的特点，是目前高频化的主要器件，尽管