低噪声前置放大器的选用.pptVIP

* * 光电信号检测与处理技术 第二章 第二节 低噪声前置放大器的选用 * 光电检测电路的低噪声设计 －－问题的提出 提高系统信噪比途径： －－光学方法 －－电学方法 －－热力学方法 * 光电检测电路的低噪声设计 －－问题的提出 信号光很弱时，探测器的输出信噪比很低 探测器噪声 电路噪声 －－“雪上加霜” * 光电检测电路的低噪声设计 前置 放大器噪声 电路 噪声 * 1. 根据噪声系数(dB) 计算Eni NF=10lgF （dB） 用分贝表示： 求出Eni： * 113型低噪声前置放大器的NF等值图 2. NF图的应用 * 2. NF图的应用 采用噪声发生器或正弦波法，测出不同Rs和f0条件下的一系列NF值，标在坐标图上。 * 2. NF图的应用 （1）从NF图中，可以选择NF最小的Rs和f0的范围。 （2）结合探测器的Rs和系统的带宽范围。NF图为正确选择前置放大器提供了依据。 （3）利用NF图还可以计算出最小可检测信号（MDS）的大小，MDS的定义为折合到放大器输入端的Eni。 * 3. 利用NF图，计算Eni， 根据Eni和Vsi来选用前置放大器 根据系统对(Vsi/Eni)的比值要求来选定放大器的NF值 * 不同Rs、?f、NF值情况下的Eni ?f、Rs 标 号 1号NF=20 dB 2号NF=3 dB Eni Rs=100? ?f =100Hz 130nV 18nV Rs=100? ?f =1Hz 13nV 1.8nV 如果被测信号为Vsi =1?V，?f =100Hz，Rs=100?，若要求系统的Vsi/Eni10。计算选用哪个放大器？ 4. 根据Eni和Vsi来选用前置放大器（一） * 4.低噪声运算放大器的选用（二） （1）选用 和 均小的运算放大器 （2）在Rs大的情况下， 起着比较大的作用 （3）计算Eni再和Vs比较。然后根据Psi/Pni（或Vsi/Eni）的要求决定运算放大器是否符合要求。 *（2）可根据 IB ， 计算 * * 实例计算 例如，OP07和LMC662在1kHz时的 和 分别为 : OP07 9.6nV·Hz-1/2 120fA·Hz-1/2 LMC662 22nV·Hz-1/2 0.113fA·Hz-1/2 当Rs=50k?，且工作在1kHz条件下，选哪一种运算放大器可使 小些（假定带宽为? f=1kHz，T=290K）? * 补充：偏置电路和负反馈电路的噪声影响 （1）并联负反馈的噪声贡献等效于负反馈合成电阻与探测器的并联 与探测器并联的阻抗元件，应满足 RcpEn/In XcpEn/In 其中Zcp=Rcp+jXcp，Rcp和Xcp分别为并联的阻性和容性阻抗。 * 补充：偏置电路和负反馈电路的噪声影响 （2）串联负反馈的噪声贡献等效于负反馈合成电阻与探测器的串联 与探测器串联的阻抗元件，应满足 RcsEn/In XcsEn/In 其中Zcs=Rcs+jXcs，Rcs和Xcs分别为串联的阻性和容性阻抗。 * （3）接口电路电阻两端的直流电压应尽量减小，以减小电阻元件的1/f 噪声。 补充：偏置电路和负反馈电路的噪声影响 * 补充：偏置电路和负反馈电路的噪声影响 * 电压串联负反馈和电压并联负反馈 补充：偏置电路和负反馈电路的噪声影响 * 综合举例 有一光导型PbS探测器，在室温下工作，其内阻范围为100~200 k?，信号的频率范围为0~1000Hz（即? f=1kHz，f0=500Hz），Vsi为50~500?V,试为其设计一低噪声前置放大器，要求KV?20，等效输入噪声Eni?10?V（保证）。 * 1.电源电压 尽量减少电源种类，即偏置电源和放大器的电源电压尽量一致。 2.有源器件的选择 3.选择电路形式 * 例：热电偶； 光电池等（信号源电阻较小） --常用器件最佳源电阻分布示意图 例： 热电阻、PIN光电二极管（信号源电阻较大） 2.有源元器件（运放）的选择 * 3.选择电路形式，进行参数选择设计 电压串联负反馈；电压并联负反馈 反相比例放大电路不会引入共模干扰，但容易引入电阻的热噪声；同相比例放大电路容易实现低噪声设计。