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3 半导体二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.3 本征半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 3. 杂质对半导体导电性的影响 本节中的有关概念 3.2 PN结 3.2.1 PN结的形成 3.2.2 PN结的单向导电性 3.2.2 PN结的单向导电性（续） (3) PN结V- I 特性表达式 3.2.3 PN结的反向击穿 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 (1) 点接触型二极管 (2) 面接触型二极管 (3) 平面型二极管 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的参数 3.3.4 二极管的温度特性 一、稳压二极管的原理及伏安特性 三、基本电路的组成 * 3.1 半导体基础知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 稳压二极管及其基本应用电路 3.6 发光二极管及其基本应用 3.2 PN结 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体 元素：硅Si和锗Ge 化合物：砷化镓GaAs等。 电阻率：导体 10－6～10－4 Ω .cm 绝缘体 1010～1022 Ω .cm 半导体 10－3～109 Ω .cm 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构（平面示意图） 3.1.2 半导体的共价键结构 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 本征半导体在掺入杂质后称为杂质半导体。 3.1.4 杂质半导体 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 本征半导体、杂质半导体 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 3.2.1 PN结的形成（了解） 3.2.2 PN结的单向导电性（重点） 3.2.3 PN结的反向击穿 3.2.4 PN结的电容效应（自学） 漂移运动： 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 因浓度差 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 低电阻 大的正向扩散电流 PN结加正向电压导通： 由于外电场的作用，扩散运动加剧，耗尽层变窄，形成大的扩散电流，故PN结处于导通状态。 (2) PN结加反向电压时 高电阻 很小的反向漂移电流 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流通过，这种情况称为“导通状态”； PN结加反向电压时，呈现高电阻，只有极小的反向漂移电流，这种情况称为“截止状态” 。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 其中 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 其中，q为电子电荷(1.6? 10-19 C)，k为波耳兹曼常数(1.38? 10-23J/K) 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突