VIGBT器件项目设计书.doc

附件四 企业技术开发项目设计书 项目名称 企业名称 企业法人（签名） 项目负责人 计建新 电话 0510 项目起止时间 2011 年 1 月 至 2014年 12 月 填报日期 2010 年 12月 18日 江苏省科技厅2010年制 一、立项依据 国内外现状、水平和发展趋势 IGBT 器件（绝缘栅双极型晶体管）是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然方向。工业控制和消费电子是IGBT应用的两大支柱领域消费电子领域电器电磁炉是依靠在线圈周围产生高频交变磁场使得锅底产生强大的涡流来达到发热的目的。IGBT由于具有耐高压和较高的开关频率克服了MOSFET耐压能力低的弱点成为电磁炉中的关键组件。4000万台，未来将以20%~30%速度增长，直接带动IGBT器件的发展。目前用于电磁炉的IGBT主要被fairchild和Infineon所垄断。国处于起步阶段，企业在进行该器件的研究IGBT 的发展提供了明确的方向和有力的推动。2010年发改委高技［2010］614号文加大了对IGBT等电力电子器件的支持。文件明确支持MOSFET、IGBT等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。强调重点解决芯片设计制造和封装技术进步的问题，包括结构设计，可靠性设计等。2009年《电子信息产业调整和振兴规划》明确了IGBT等相关产业的发展方向。用消费电子DMOS成熟的制造平台，通过设计创新和工艺优化，吸取高压VDMOS纵向结构的优点来设计和制造出具有击穿电压高、通态压降小、开关损耗小、性能稳定以及可靠性高等优点的IGBT器件。 ①建全IGBT器件圆片制造平台 ②设计各种规格产品 1200V/15A系列：1200V、15A 1200V/20A系列：1200V、20A 1200V/25A系列：1200V、25A ③新型电力电子器件IGBT的组装和应用。 本项目产品主要应用领域是电磁炉等消费电子 2. 技术创新之处； 实现电压1200V以上，电流15A、20A、25A等高压大电流IGBT器件结构设计与制造。 采用了场版、浮置分压环、截止环和表面钝化等终端处理技术，提高了IGBT器件的耐压。 采用高密度条形原胞设计，背面加工技术，降低了IGBT的通态压降和开关损耗。 3. 主要技术指标或经济指标。 1、技术质量指标 1）产品主要技术指标 开发系列产品，其典型产品主要技术指标如下： 1200V/15A系列：VCES ≥ 1200V，VCE(sat)≤3.0V（IC=15A） 1200V/20A系列：VCES ≥ 1200V，VCE(sat)≤3.0V（IC=20A） 1200V/25A系列：VCES ≥ 1200V，VCE(sat)≤3.0V（IC=25A） 典型产品1200V/15A的技术指标 1．极限值： 条号 参 数 名 称 符 号 数 值 单 位 最小值 最大值 1 2 3 4 5 6 7 8 管壳温度 储存温度 最高集射(直流)电压 栅射电压 最大集电极电流 集电极电流（脉冲） 最高有效(等效)结温 耗散功率的绝对极限值 Tamb=25℃ Tcase=25℃ Tcase Tstg VCES VGE IC ICM TVJ Ptot Ptot -55 -55 1200 +150 +150 ±30 30 45 150 2 186 ℃ ℃ V V A A ℃ W W 2．电特性： 条号 特性和条件 除非另有规定, Tamb=25℃ 符 号 数 值 单 位 最小值 最大值 1 2 3 4 5 6 7 栅射截止电流 VEG=30V VCE=0 VEG=-30V VCE=0 阈值电压 VGE=VCE IC=15mA 集射截止电流 VCE=1200V VGE=0 集射截止电流 VCE=960V VGE=0 Tamb=125℃ 集射击穿电压 IC