功率MOS器件UIS失效及其改善详解.pptVIP

2014.10 主要内容 UIS基本介绍 1 2 UIS失效机理 3 4 UIS改善方向 UIS测试原理 UIS：Unclamped Inductive Switching，非嵌位感性负载开关过程。 UIS是模拟 MOS器件在系统应用中遭遇极端电热应力情况，在回路导通时储存在电感中的能量必须在关断瞬间全部释放，此时高电压大电流极易引起器件失效。 UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指标。 UIS失效机理以及其改善的研究一直是功率MOS器件研究的重点热点。 主要内容 UIS基本介绍 1 2 UIS失效机理 3 4 UIS改善方向 UIS测试原理 UIS测试电路 A 测试设备 B 测试电路 UIS测试流程 对所有UIS测试电路，测试流程都一样，分有三步： 关断状态，此时漏源电压 VDS VDD，电感 L 中没有储存能量。 开启状态，栅电极加适当脉冲，器件导通，电压源对电感充电，在回路中满足 关断状态，栅电极电压为0，电感开始将储存的能量通过MOS器件泄放，在回路中满足 参考测试电路，在第三步关断过程中，通常VDD接地，所以 定义单次脉冲雪崩能量值 A 常见测试波形 雪崩能量表达式： 雪崩时间表达式： 主要内容 UIS基本介绍 1 2 UIS失效机理 3 4 UIS改善方向 UIS测试原理 电流相关的失效：关断时大电流引起寄生NPN管的