2016光电探测技术-第一章.ppt

光电导效应 第一节：光电探测技术基础 内光电效应 光激发：产生空穴、电子，跃迁到导带。 杂质半导体： n型：施主能带靠近导带，电子获得足够能量进入导带参与导电。 p型：受主能带靠近价带，价带电子吸收光子能量跃迁受主能带，使价带产生空穴参与导电。 表征光电导效应主要有三个参数：灵敏度、弛豫时间（惰性）、光谱分布等。 光电导效应 第一节：光电探测技术基础 内光电效应 光磁电效应 光磁电效应 光磁电效应：当红外光入射到半导体表面，如有外磁场存在，则半导体表面附近产生的电子－空穴对在半导体内部扩散的过程中，电子和空穴各偏向一侧，因而在半导体两端产生电位差，这种现象为光磁电效应。 第一节：光电探测技术基础 利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。 德国物理学家赛贝克用两种不同金属导体组成闭合回路，并用酒精灯加热其中一个接触点，发现回路的指针发生偏转，但如果同时对两个接触点加热，指针的偏转角反而减小。（热电效应或塞贝克效应） 热电效应 热电效应 第一节：光电探测技术基础 热电偶基本定律： （1）若A与B相同，无论两接点温度如何，回路总热电势为零； （2）若T=T0，回路总热电势为零； （3）热电势输出只与两接点温度及材料性质有关，与A、B的中间各点的温度、形状及大小无关。 对于具有自发式极化的晶体，当晶体受热或冷却后，由于温度的变化（△T）而导致自发式极化强度变化（△Ps），从而在晶体某一定方向产生表面极化电荷的现象。宏观上是温度的改变在材料的两端出现电压或产生电流。 热释电效应 热释电效应 第一节：光电探测技术基础 光电探测器特性参数 第一节：光电探测技术基础 光电探测器特性参数 第一节：光电探测技术基础 光电探测器特性参数 第一节：光电探测技术基础 光电探测器特性参数 第一节：光电探测技术基础 光电探测器特性参数 第一节：光电探测技术基础 光电探测器特性参数 第一节：光电探测技术基础 第二节：光电探测器用敏感材料 敏感材料基本光学特性 材料的光学性能 关于光的速度 敏感材料基本光学特性 光的反射 敏感材料基本光学特性 光的折射 敏感材料基本光学特性 光的色散与散射 敏感材料基本光学特性 光的色散与散射 敏感材料基本光学特性 参考书目： 课程介绍 《半导体器件物理（第3版）》 施敏 (S.M.SZE) 西安交通大学出版社，2008. 《光电探测技术与应用》 郝晓剑，李仰军 国防工业出版社，2009 《军用紫外探测技术及应用》 许强 北京航空航天大学出版社，2010 《太赫兹科学与技术原理》 李允植 (Yun-Shik Lee) 国防工业出版社，2012 《太赫兹科学技术和应用》 许景周 北京大学出版社，2007 《红外探测器（第二版）》 Antoni Rogalski 机械工业出版社，2014 《窄禁带半导体物理学》 褚君浩 科学出版社，2005 《薄膜技术与薄膜材料》 田民波 清华大学出版社，2006 《红外成像阵列与系统》 常本康，蔡毅 科学出版社，2006 考核方式: 考核方法：开卷笔试、专题论文； 笔试成绩50％，专题论文30％， 平时成绩20％； 系统学习光电探测中的敏感材料、敏感机理、器件结构的设计、器件的物理原理、应用及发展前景进行全面的学习和了解； 掌握器件原理与技术，国内外发展动态，从而为相关技术的研究打下理论基础； 学习各种光电探测元、部件构成系统的光学、电子学和系统成像原理。 了解光电探测技术在军事上和国民生产经济中的应用。 教学目的： 课程介绍 提 纲 2 3 1 第二章：紫外与可见探测技术 第一章：光电探测技术概述 3 3 第三章：近红外探测原理与技术 4 第四章：红外探测技术 3 5 第五章：太赫兹探测技术 第一节：光电探测技术基础 半导体物理基础 光电探测器特性参数 第二节：光电探测器用敏感材料 敏感材料基本光学性质 不同波段敏感材料的特点及选择 第三节：常见光电探测器的器件结构原理 按结构原理分类光电探测器 不同结构器件的工作原理 第一章：光电探测技术概述 第一节：光电探测技术基础 紫外线（100～380nm）、可见光（380～760nm）、近红外线（ 0.76~30μm）、太赫兹30μm ~ 3mm及X射线、γ射线和微波、无线电波一起构成了整个无限连续的电磁波谱。 光谱波段划分 不同光谱的特点与应用 第一节：光电探测技术基础 光的三原色 “红、绿、蓝”??? 红、绿、蓝三种色光无法被分解，故称“三原色光” 太阳光谱 第一节：光电探测技术基