4第二章半导体中杂质和缺陷能级ppt.pptx

中科院物理所发现硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体 纳米管电学性质的不可控问题依然是悬而未决的难题，这是由于在制备的样品中约2/3的纳米管为半导体性，约1/3的纳米管为金属性，两者共存大大限制了碳纳米管在纳米电子器件中的进一步应用。 实际半导体：存在缺陷并夹有杂质 这些极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，当然也严重地影响着半导体器件的质量。 杂质和缺陷破坏晶格中的原子周期性排列，因而会使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级）， ？ 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质和间隙式杂质 硅、锗中替位式杂质：Ⅲ、Ⅴ族元素（B、P） 硅、锗、砷化镓中的间隙式杂质：锂离子（半径：0.068nm） 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数，通常用它表示半导体晶体中杂质含量的多少。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.2 施主杂质（Ⅴ族元素） 施主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 ΔED 施主杂质的电离能 2.1.2 施主杂质（Ⅴ族元素） 施主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 晶体 杂质 P As Si 0.044 0.049 Ge 0.0126 0.0127 硅、锗晶体中Ⅴ族杂质的电离能ΔED（单位：eV） 把主要依靠导带电子导电的半导体称为N型半导体 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.3 受主杂质（Ⅲ族元素）受主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 ΔEA 受主杂质的电离能 2.1.3 受主杂质（ Ⅲ族元素） 受主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 晶体 杂质 B Al Ga Si 0.045 0.057 0.065 Ge 0.01 0.01 0.011 硅、锗晶体中Ⅴ族杂质的电离能ΔEA（单位：eV） 把主要依靠导带空穴导电的半导体称为P型半导体 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 受主能级很接近于价带顶，施主能级很接近于导带底，通常将这些杂质能级称为浅能级，将产生浅能级的杂质称为浅能级杂质。 室温下，晶格原子热振动的能量会传递给电子，可使硅、锗中的Ⅲ-Ⅴ族杂质几乎全部离化。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.4 杂质浅能级电离能的简单计算 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 （以施主杂质为例） 氢原子基态电子的电离能： 这个磷原子比周围的硅原子多一个电子电荷的正电中心和一个束缚着的价电子。好像在硅中附加了一个“氢原子”。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.4 杂质浅能级电离能的简单计算 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 ?做两项修正： 1、要考虑晶体的相对介电常数的影响； 2、惯性质量要用有效质量代替。 施主杂质电离能： 受主杂质电离能： 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 假如半导体中，同时存在着施主和受主杂质，半导体究竟是N型还是P型？ 施主浓度（ND） 受主浓度(NA ）时，半导体呈现为N型； 施主浓度（ND） 受主浓度(NA ）时，半导体为P型。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 利用杂质补偿作用，就能根据需要用扩散或离子注入方法来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件。但若控制不当，会出现ND≈ NA 的情况，尽管杂质很多，但不能向导带和价带提供电子和空穴，这种现象称为杂质的高度补偿。这种材料容易被误认为高纯半导体，实际上含杂质很多，性能很差，一般不能用来制造半导体器件。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.6 深能级杂质 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.6 深能级杂质 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.2.1 GaAs中的杂质 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 锗、硅晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 缺陷、位错能级 2.3 缺陷、位错能级 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 2.3 缺陷、位错能级 位错的形成原因：应力作用使得晶格发生畸变。 位错类型：基本类型是刃