【硕士论文】功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究.docVIP

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究 摘要：随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。关键词：功率工艺? ?功率封装? ?散热片? ?热阻Power Package and Realistic Method of Thermal Resistance Calculation　Abstract：As users have higher demands to the result of heat sink of the power component，setting heat sinker on the power package is not easy to realize any more. The technics of power component is introduced. Then the great influence of package on power component is illustrated. This paper takes the thermal enhancement-type package and thermal tab package for examples to describe their static and dynamic characteristics. At last the measure steps and circuit of thermal resistance design are presented and have certain referential value. Keyword: power technics? ?power package? ?heat sink? ?thermal resistance??1??引言 功率半导体在工业、汽车、消费电子等领域的应用越来越广泛，主要用于执行机构和供电元。随着功率电子工艺技术的改进和用户对其散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难，而且PCB的布局对散热效果有很大影响，为减小PCB布局难度，要采用新的方法确定功率封装的热阻。2??功率电子的工艺技术功率半导体产品的集成水平（复杂性）决定其产品性能。每个独立的产品组都可以采用专用技术来优化实现。1.1? ?基本工艺:??(1)CMOS工艺：CMOS(互补MOS)只包含P沟道和N沟道，不包括任何双极型和其他器件。这里的晶体管是通过P阱和N阱和一个多晶硅栅构造而成。用多晶硅层构成电阻，使用多晶硅和掺杂的衬底作为电容平板，栅极氧化物作为电介质，CMOS工艺对于构造逻辑功能是最优的。从根本上说，这一工艺可以制造一系列低压器件(5V，3V，1.8V)，实现在极小元件里的高集成密度。(2)双极型工艺：双极型工艺使用NPN型和PNP型双极型晶体管作为有源元件。双极型工艺并不需要多晶硅栅。这种工艺步骤很少，性价比高。集成密度取决于工艺的电压等级。通过改变晶体管的尺寸可得到各种不同的电压等级。(3)DMOS工艺：DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而优化设计的。为了提高击穿电压而将这类元件设计成长沟道结构。将几个单元并联来实现大电流(低的导通电阻)和高能量密度。DMOS工艺比逻辑工艺具有更厚的栅极氧化层，这样可以制造出更坚固的器件。如果这些基本的工艺以逻辑方式组合起来，可以得到下列不同的组合工艺，根据它们的专有特性可以适用于特定的应用领域。(4)BC工艺：BC工艺在一种工艺内包含有双极型和CMOS元件。这种组合可实现多种模拟功能，如高精度参考电压电路。(5)CD工艺：CD工艺集CMOS和DMOS元件于一身。这样可将一个大电流、大功率和逻辑功能结合在一个集成电路上。(6)BCD工艺：BCD工艺将双极型、CMOS和DMOS元件联合在一起，可以制造出具有不同电压等级的元件。CMOS允许高逻辑密度，从而集成微控制器。双极型和CMOS的组合可以实现高精度参考电压电路。DMOS晶体管使开关高电流和高电压(至20A和80V)成为可能。在一些情况下要用到不止一个栅极氧化物层，以实现低电压逻辑电路(如亚微细逻辑)的高集成密度，可能需要多个多晶硅阻性层。凭借先进的BCD技术，可能实现超过25个感光层(掩膜)。但是这会导致比CMOS之类工艺更高的成本。1.2??功率MOSFET? ? 功率金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)在很多情况下用作开关