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CdTe薄膜沉积技术与太阳电池 2012140105 李文浩 碲化镉是属于Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体，它具有直接能隙，其能隙值为1.45eV,正好位于理想太阳电池的能隙范围之间。 CdTe具有很高的光吸收系数（＞5×105/cm）。仅仅2um（微米）厚的CdTe薄膜，就已足够吸收AM1.5条件下99%的太阳光。使得CdTe成为一个可以获得高效率的理想太阳电池材料之一。 CdTe可利用多种快速成膜技术制作，由于模组化生产容易，因此近年商业化的动作亦相当积极，CdTe/glass已应用于大面积屋顶建材。 简单介绍CdTe CdTe太阳电池的结构 几乎所有高效率CdTe太阳电池都是采用如图所示的superstrate结构。 它是在玻璃基板上依序长上透明氧化层（TCO）、CdS、CdTe薄膜，而太阳光是由玻璃基板上方照射进入，先透过TCO层，再进入CdS/CdTe接面。 p（75） CdTe太阳电池的原理 光通过玻璃衬底进入电池。光子横穿TCO层和CdS层。这些薄膜虽然导致一些（不希望的）光吸收，但在光伏电荷产生的过程中没有活性。 CdTe薄膜是这种电池的活性吸收层。电子—空穴对在接近结的区域产生。电子在内建场的驱动下进入N型CdS膜。 空穴仍然在CdTe内，空穴的聚集会增强材料的P型电导，最终，不得不经由背接触离开电池。电流由与TCO薄膜和背接触连接的金属电极来引出。 由于CdTe对波长低于800nm的光有很强的吸收（105cm-1），薄膜几微米的厚度将足以完全吸收可见光。因一些实际设计的应用，常常选用大约3～7um的厚度。 CdTe太阳电池的优点及CdTe四个特殊的性质 使用CdTe太阳电池的优点之一是，用来制造CdTe及CdS薄膜的技术相当多，而且大多适合大规模生产。 CdTe四个特殊的性质， CdTe有一个1.45eV的能隙，因此与太能辐射谱很好地适配。 CdTe是“直接”能隙，它导致很强的光吸收。 CdTe强烈地趋向于生长成P型的半导体薄膜，能和CdS形成PN异质结（CdS具有略宽的能隙2.4eV，在通常的沉积技术中生长成为N型材料）。 已经开发出简单的、适合于低成本产品的沉积技术。 以成熟技术制备的CdTe电池，可以期望电流密度达27mA/c㎡，开路电压达880mV,从而AM1.5的效率为18%。 太阳电池的基本准则 集中深入的研究业已表明，这个结可以被控制，以至于下列太阳电池的基本准则在工业生产的条件下也能够被满足： CdTe薄膜中可迁移的少子能有效地产生。 依靠N型CdS与P型CdTe之间PN结的内建电场，载流子能有效地分开。 依靠与TCO和背接触两种薄膜的欧姆接触，光生电流能低损耗地引出。 对低成本高产量的制造，有简单的制备技术。 CdTe太阳电池的薄膜制造 关于CdTe太阳电池的薄膜制造，目前已有多种可行的技术可以被采用，例如有物理气相淀积、密闭空间升华法、气相传输淀积法、溅镀法、电解淀积法、网印淀积法等。 各方法各有其利弊得失，其中电解淀积法是最便宜的方法之一，同时也是目前工业界所采用的主要方法，淀积时温度较低，所耗用碲元素也最少。 在玻璃基板的选用上，使用耐高温（～600℃）的硼玻璃作为基板，转换效率可达16%。。 5.2.5 电解淀积法 电解淀积法是将含有Cd2+及HTeO2+ 电解液进行化学还原反应，而得到Cd及Te并淀积而成CdTe薄膜。 这样的电解还原及淀积反应，可由以下三个化学反应式来表示。 利用控制电解液内部的Cd及Te含量，可由控制所生长出来的薄膜的化学计量组成。 电解淀积法 在含有Cl基化合物条件下退火后，晶粒变大，掺杂转变为P型，且电导率提高了。 电压施加在衬底上的透明导电膜上，而且必须在整个被淀积表面非常均匀。这就需要较低的沉积电流密度，从而导致较低的沉淀速率。 这可以通过把大量衬底并列起来沉积的高生产率来弥补。 在美国，已经建成了一座生产工厂，目前正在扩大生产量。