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第二章 门电路 门电路：实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 用高、低电平分别表示1、0两个逻辑值 正逻辑与负逻辑 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 二、三极管的开关特性 1．三极管的三种工作状态 二、二极管或门电路 三、三极管非门电路 2.4 TTL门电路 4. TTL反相器的抗干扰能力 二、TTL反相器的静态输入特性和输出特性 1.输入特性 输入端等效电路 2.输出特性 （1）高电平输出特性 （1）灌电流负载 NOL称为输出低电平时的扇出系数。 （2）拉电流负载。 一般NOL≠NOH，常取两者中的较小值作为门电路的扇出系数，用NO表示。 2．或非门 与或非门 在工程实践中，有时需要将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑，称为线与。普通的TTL门电路不能进行线与。 为此，专门生产了一种可以进行线与的门电路——集电极开路门。 （1）当输出高电平时 （1）三态输出门的结构及工作原理。 当EN=0时，G输出为1，D1截止，相当于一个正常的二输入端与非门，称为正常工作状态。 当EN=1时，G输出为0，T4、T3都截止。这时从输出端L看进去，呈现高阻，称为高阻态，或禁止态。 三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 （a）组成单向总线， 实现信号的分时单向传送. 5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6．74AS系列——为先进肖特基系列， 它是74S系列的后继产品。 7．74ALS系列——为先进低 功耗肖特基系列， 是74LS系列的后继产品。 二、MOS管的开关特性 1、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 2、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 MOS管的基本开关电路 开关等效电路 5、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 1．逻辑关系： （设VDD＞（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|） （1）当Vi=0V时，TN截止，TP导通。输出VO≈VDD。 （2）当Vi=VDD时，TN导通，TP截止，输出VO≈0V。 2.6.2 CMOS 反相器的静态输入/出特性 二、CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 2.输出特性 （1）低电平输出时 (2).高电平输出时 （2）或非门 3.漏极开路门（OD门） 类似于TTL电路中的OC门 常用于输出缓冲/驱动器中，或者用于输出电平的转换，以及满足大负载电流的需要，也可用于实现“线与”——所有与OC门类似。 当EN=1时，TP2和TN2同时截止，输出为高阻状态。 所以，这是一个低电平有效的三态门。 5 ．CMOS传输门 工作原理：（设两管的开启电压VTN=|VTP|） （1）当C接高电平VDD，/C 接低电平0V时，若Vi在0V～VDD[0~VTN，|VTP| ~VDD]的范围变化，至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即Vo=Vi。 （2）当C接低电平0V，/C 接高电平VDD，Vi在0V～VDD的范围变化时，TN和TP都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。 五、TTL集成逻辑门电路系列简介 1．74系列——为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。 2．74L系列——为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。 3．74H系列——为高速TTL系列。 4．74S系列——为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。如图示。 金属层 氧化物层 半导体层 PN结 以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） 开启电压 输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响 输出特性： iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 OFF ，截止状态 ON，导通状态 大量正离子 导电沟道 2.6 CMOS门电路 CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟道MO