MOSFET基本参数与原理.pptVIP

* * * * * * * CET 華 瑞 股 份 有 限 公 司 CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CORP. CET CET CONFIDENTIAL CET 華 瑞 股 份 有 限 公 司 CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CORP. Chino-Excel Technology Corp. 92, Jian Yi Rd., Chung-Ho City, Taipei Hsien, Taiwan, R.O.C. E-mail: Yeilong_Tsai@ TEL:886-2FAX:886-2 Yei_Long Tsai Product Department POWER MOSFET 參數特性簡介 FOR DATA SHEET 簡介 - MOSFET MOSFET INTRODUCTION DC PARAMETER AC PARAMETER POWER RELATED DATA SHEET EXAMPLE MOSFET INTRODUCTION POWER MOSFET又稱DMOS(double diffused mos)在發展之前，唯一較高速、適中功率元件只有雙載子功率電晶體(POWER BJT) ，此元件為達至一大電流的應用，因此與傳統MOS不同的是其電流流向為垂直方向流動 。 雖然BJT可達到相當高的電流和耐壓額定，但它相對較高的基極驅動電流卻使周邊的線路設計顯得相當困難，再加上它容易發生二次崩潰，以及負崩潰溫度係數導致很難平行化此元件。基於這種缺點、POWER MOS在70年代發展之後就很的取代了BJT，POWER MOS不但沒有BJT的缺點，且在TURN-OFF也沒有少數載子的存在，使得操作速度可以更快，且具有很大的安全操作範圍，種種優勢使得POWER MOS 成為許多應用上的主要元件。 G D S MOSFET INTRODUCTION N+ P+ PWELL N+ EPI SUBSTRATE DRAIN GATE SOURCE UNIT CELL SEM TOP-VIEW WIRE BOND DC PARAMETER BVDSS (VDS) LEAKAGE(IDSS) BVGSS (VGS) LEAKAGE(IGSS) ON-RESISTANCE (RDSON) THRESHOLD VOLTAGE (VGS(TH)) FORWARD TRANSCONDUCTANCE (GFS) DIODE FORWARD VOLTAGE (VFSD) MOSFET 參數特性-DC PARAMETER BVDSS:此為Drain端 – Source端所能承受電壓值 ,主要受制內藏逆向二極體的耐壓,其測試條件為 VGS=0V , ID=250 uA . 該特性與溫度成正比 . IDSS:即所謂的洩漏電流，通常很小，但是有時為了確保耐壓，在晶片周圍的設計，多少會有洩漏電流成分存在，此最大可能達到標準值10倍以上。該特性與溫度成正比. G D S IDSS FORCE VDS=BVDSS MEASURE IDS DC PARAMETER-BVDSS/IDSS G D S FORCE ID=250uA VDS MEASURE VDS BVGSS:此為GATE端 – Source端的絕緣層所能承受電壓值 ,主要受制閘極氧化層的耐壓,其測試條件為 VDS=0V , ISGS= 800 nA . 該特性與溫度無關. IGSS:此為在閘極周圍所介入的氧化膜的洩極電流，此值愈小愈好，標準值約為10nA。當所加入的電壓，超過氧化膜的耐壓能力時，往往會使元件遭受破壞。 DC PARAMETER-BVGSS/IGSS G D S FORCE IG=800nA VGS MEASURE VGS G D S FORCE VGS=BVGSS VGS MEASURE IGSS DC PARAMETER-RDSON RDSON:導通電阻值 (ON-RESISTANCE)低壓POWER MOSFET最受矚目之參數 RDS(on)=RSOURCE + RCHANNEL + RACCUMULATION + RJFET + R DRIFT(EPI) + RSUBSTRATE 低壓POWER MOSFET 導通電阻是由不同區域的電阻所組成，大部分存在於RCHANNEL，RJFET及REPI，在高壓MOS則集中於REPI。為了降低導通電阻值，Mosfet晶片技術上朝高集積度邁進，在製程演進上，TRENCH D