Bi掺入相变光盘GaSb靶材的研究.doc

B i 掺 入 相 变 光 盘 G a S b 靶 材 的 研 究 摘要：光盘存储技术正逐步占据数据记录的主导地位，其中的相变光盘吸引了越来越 多的研究者。本文研究了B i的掺入对相变光GaSb靶材性能的影响，通过XRD分析得到 B i原子主要代替靶材中的Sb原子，DSC分析表明随着B i的含量的增加靶材的熔点下降。 关键词：相 变 光 盘 ； G a S b B i ； 热 等 静 压 ； B i 掺 杂 Research on Bi---doped GaSb Phase Change Disc Target Abstract ：Optical disc storage technology is gradually dominate the data records, the phase transition disc has attracted more and more researchers. This paper studies the B I added to affect the performance of phase change optical GaSb target, Bi is obtained by XRD analysis mainly to replace Sb in the target material atoms, DSC analysis showed that with the increase of the content of Bi of the target material melting point decline Key words ：phase change disc; GaSbBi; hot isostatic pressing; Bi-doping 1. 前言 光盘存储技术是70年代初开始发展起来的一项高新技术。光盘存储具有存储密度高、容量大、可随机存取、保存寿命长、工作稳定可靠、轻便易携带等一系列其它记录媒体无可比拟的优点，特别适于大量数据信息的存储和交换。 光盘中相变光盘的研究吸引了越来越多的关注。其记录原理，是利用相变材料的非晶相和结晶相在某种热条件下发生可逆相变的现象‘纠。其记录材料应具有以下4点性能：(1)在400～800 nm波长范围内，这些材料的非晶态和结晶态之间必须具有足够的光学时比度；(2)为了使材料在能够获得的激光功率下熔化，这些材料的熔点Tm必须足够低。一般说来，相变记录材料的熔点Tm在500～1000℃之间；(3)非晶态的晶化速率必须足够快。同时，非晶态记录点还必须在周围温度和存储温度下具有足够的稳定性以防止自发的晶化。这就是说材料的玻璃化温度Tg(一般为50%—70% Tm)应该高于100℃；(4)在擦写记录过程中，晶态一非晶态和非晶态一晶态相变过程必须可逆的进行多次。 目前，人们对相变靶材GaSb的研究相对较热。从事相变光盘的研究。Hiroko Thashiro等人对Sb-based高速相变光盘的研制表明，Galz Sb88的热稳定性能好且结晶速度达到23.3m]s[4]；Van Pieterson等研制出专利为：相变合金的原子百分比为Ga。Iny Sb。(70=Z= 95，X+Y+Z=100)，此合金的结晶速度达到10m/s，适合高速可擦写‘副。本文尝试通过对GaSb靶材掺ABi来得到性能更好的相变靶材。 2. 样品制备与实验 2.1靶材的成分 研究的靶材用于相变光盘的信息记录屡，基本成分为Galz Sb88，在其中入少量的Bi部分取代Sb，比较靶材的性能。实验中原材料的具体指标见表1。靶材成分的设计见表2。 2.2 靶材的制备工艺 实验的工艺路线为气体保护熔炼、粉碎、球磨、冷等静压和热等静压。具体工艺为：(1)样品的配料，将原材料按其组成配重；(2)气体保护熔炼，在高纯氩气保护熔炼，使其合金化，熔炼设定工艺为90min升温至700℃，保温120 min，炉冷；(3)制备粉末，得到所需成型的合金粉末粒径；(4)冷等静压，靶材的初步成型，工艺为压力150MPa，保压2 min；(5)热等静压，得到高致密度的靶材，工艺为加热温度420℃，压力90MPa，保温180 min，氩气为加压介质。 2.3靶材的分析测试 实验使用排水法测密度；采用ZEISS金相显微镜(AXIO IMANGER.AIM)观察靶材的光学显微组织；采用德国Neztch公司热分析仪(STA 449 C)进行差热分析，实验以10℃／mm升温至700℃倮温10min再以10℃／min降温，保护气体为氩气，坩埚为Al2 03坩埚；采用Philips公司X射线衍射仪(XPertPRO)观察物质的相种类和结构，操作电压为45kV，电流35mA，