半导体器件工艺课程设计.docxVIP

2016年半导体器件与工艺课程设计设计报告项目名称 SRAM读写特性设计参 与 者 姜云飞 黄思贤 牛永文所在学院 电子科学与应用物理学院专业年级 电子科学与技术13-1班指导教师 宣晓峰报告人牛永文 时 间 2016.6课程设计的内容与题目要求内容设计一个SRAM与非门，分析其读写特性。SRAM结构题目要求MDRAW工具分别设计一个栅长为0.18的NMOS，在MDRAW下对器件必要的位置进行网格加密；先通过dessis模拟确定NMOS的转移特性，确定器件结构、掺杂及阈值电压等无错误。再根据设计目标，确定SRAM的网表，其负载电容取3e-13F（模拟在位线负载电容等）；编制dessis模拟程序，在模拟程序中设定SRAM中各组件的连接，分析此器件的读写特性；应用INSPECT工具对比输入信号、输出信号和电流信号，查看其性能；调节电路设计以及NMOS的结构（栅宽、栅氧厚度、掺杂等），优化其读写速度。课程设计的工艺流程器件构建运用MDRAW工具设计一个栅长为0.18的NMOS管(如图1.1) 图 1.1器件掺杂运用MDRAW对设计好的NMOS进行掺杂（如图1.2和图.3） 图 1.2 图1.3网络生成掺杂完成后，点击Mesh—Build Mesh，构建网络（如图1.4）图1.4课程设计的仿真结果dessis模拟NMOS管的特性dessis程序的编写File{Grid=”Nmos2_mdr.grd”Doping=”Nmos2_mdr.dat”Plot=”nmos_des.dat”Current=”nmos_des.plt”Output=”nmos_des.log”}Electrode{{Name=”source”Voltage=0.0}{Name=”drain”Voltage=0.1}{Name=”gate”Voltage=0.0 Barrier=-0.55}{Name=”s”Voltage=0.0}}Plot{eDensityhDensityeCurrenthCurrentPotential SpaceChargeElectricFieldeMobilityhMobilityeVelocityhVelocityDoping DonorConcebtrationAcceptorConcentration}Physics{Mobility (DopingDepHighFieldSatEnormal)EffectivelntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom))}Math{ExtrapolateRelErrControl}Solve{PoissonCoupled{Poisson Electron}Quasistatioonary(Maxstep=0.05Goal{name=”gate” voltage=2.0}){Coupled{Poisson Electron}}}Inspect得出器件转移特性曲线INSPECT得出NMOS器件的转移特性曲线（如图1.4），并提取出开启电压Vt 图 1.4dessis模拟SRAM的特性SRAM的dessis程序编写SRAM的dessis读特性程序：Device NMOS{Electrode{{Name=”source” Voltage=0.0 Area=5}{Name=”drain” Voltage=0.0 Area=5}{Name=”gate” Voltage=0.0 Area=5 Barrier=-0.55}{Name=”s” Voltage=0.0 Area=5}}File{Grid=”Nmos2_mdr.grd”Doping=”Nmos2_mdr.dat”Plot=”nmos_des.dat”Current=”nmos_des.plt”}Physics{Mobility(DopingDepHighFieldSaturationEnormal)EffectivelntrinsicDensity(BandGapNarrowing (OldSlotboom))}}System{Vsource_psetV0(n2 n6){pwl=(0.0e+00 0.0)}1.0e-11 0.01.5e-11 2.510.0e-11 2.510.5e-11 0.020.0e-11 0.0)}NMOS nmos{“source”=n1 “drain”=n3 “