半导体物理2013(第八章).pptVIP

第8章 半导体表面和MIS结构 本章主要内容： MIS结构中的表面电场效应 MIS结构电容-电压特性 硅-二氧化硅系统性质 表面电场对pn结特性的影响 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 我们通过一个MIS结构来讨论在外加电场作用下半导体表面层内发生的现象，并假设考虑的理想的MIS结构满足以下条件： ⑴金属与半导体功函数相等； ⑵绝缘层内无电荷且绝缘层完全不导电； ⑶绝缘层与半导体交界面处不存在任何界面态。 MIS结构示意图及理想MIS的能带图 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 外加电场作用于该MIS结构，金属接高电位，即VG0 MIS结构由于绝缘层的存在不能导电，实际就是一个电容器，金属与半导体相对的两个面上被充电，结果金属一层的边界有正电荷积累，而在P型半导体表面形成一定宽度的带负电荷的空间电荷区。 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 在空间电荷区内，电场的方向由半导体与绝缘层的交界面（半导体表面）指向半导体内部，同时空间电荷区内的电势也随距离而变化，这样半导体表面相对体内产生了电势差，同时能带在空间电荷区内发生了弯曲。 │E│ 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 表面势Vs ：称空间电荷层两端的电势差为表面势，以Vs表示之，规定表面电势比内部高时，Vs取正值；反之Vs取负值。 表面势及空间电荷区内电荷的分布情况随金属与半导体间所加的电压VG而变化，基本上可归纳为三种情况：多子堆积、多子耗尽和少子反型。 分析要点：①表面空间电荷区电场方向和表面势；②半导体表面能带弯曲情况;③表面空间电荷区电荷组成；④名称由来。 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 ⑴多数载流子堆积状态： 电场由半导体内部指向表面，表面势为负值，表面处能带越靠近表面向上弯曲。越接近半导体表面，价带顶越移近费米能级甚至高过费米能级，同时价带中空穴浓度也随之增加，即表面空间电荷层为空穴的堆积而带正电荷，且越接近表面空穴浓度越高——多子堆积状态。 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 ⑵多数载流子的耗尽状态 电场由半导体表面指向体内，表面势为正值，表面处能带越靠近表面向下弯曲。越接近表面，半导体价带顶离费米能级越远，价带顶处的空穴浓度随之降低。表面处空穴浓度较体内空穴浓度低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度——多子的耗尽状态（耗尽层）。 ε 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 ⑶少数载流子的反型状态 当空间电荷区内能带进一步向下弯曲使费米能级位置高于禁带中线，意味着表面处出现了一个与衬底导电类型相反的一层，叫做反型层。反型层发生在紧靠在半导体表面处，从反型层到半导体内部之间还夹着一个耗尽层。此时，表面空间电荷区由两部分组成，一部分是耗尽层中的电离受主，另一部分是反型层中的电子，后者主要堆积在近表面区 ε ——少子反型状态 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 金属与半导体间加负压，多子堆积 金属与半导体间加不太高的正压，多子耗尽 金属与半导体间加高正压，少子反型 p型半导体 VG0 VG0 VG0 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 n 型半导体 金属与半导体间加正压，多子堆积 金属与半导体间加不太高的负压，多子耗尽 金属与半导体间加高负压，少子反型 VG0 VG0 VG0 8.1表面电场效应8.1.1空间电荷层及表面势 8.1 表面电场效应8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 规定x轴垂直于表面指向半导体内部，表面处为x轴原点。 采用一维近似处理方法,空间电荷层中电势满足泊松方程 其中 设半导体表面层仍可以使用经典分布，则在电势为V的x点（半导体内部电势为0），电子和空穴的浓度分别为 8.1 表面电场效应8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 在半导体内部，电中性条件成立，故 即 带入可得 8.1 表面电场效应8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 上式两边乘以dV并积分，得到 将上式两边积分，并根据 8.1 表面电场效应8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 得 令 1 2 3 4 8.1 表面电场效应8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 分别称为德拜长度 ，F函数。 则 式中当V大于0时，取“+”号；V小于0时，取“-”号。 8.1 表面电场效应8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 在表面处V=Vs，半导体表面处电场强度 根据高斯定理，表面处电荷面密度Qs与表面处的电场强度有如下关系 ， 8.1 表面电场效应8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 带入可得表面处电荷面密度 当金属电极为正，即Vs0，Qs用负号；反之