固体物理第26次课.doc

第 26 次 课 教学目的：掌握常见半导体的能带结构的特点；掌握共振吸收。 教学内容：§7.1 半导体的能带结构 重点难点：半导体的能带结构； 共振吸收 §7.1 半导体的能带结构 一、半导体能带极值附近 E(k) 的分布 1. K 空间的等能面 (1) 极值点 k0 为 (kx0, ky0, kz0). 能量 E 在极值点 k0 附近的展开 其中： 移项后： 在长轴方向: m*大, E 的变化缓慢, 在短轴方向: m*小, E 的变化快. (2) 极值点 k0 正好在某一坐标轴上 能量 E 在 K 空间的分布为一旋转椭球曲面设 k0 在 Z 轴上,晶体为简立方晶体,以 Z 轴为旋转轴. mt 为横向有效质量, ml 为纵向有效质量 若 mlmt, 为长旋转椭球 mtml,为扁形旋转椭球 (3) 极值点 k0 在原点 能量 E 在波矢空间的分布为球形曲面 2. 回旋共振法 将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量(对于球形等能面)的关系为: 再以电磁波通过半导体样品，当交变电磁场频率 ( 等于 (c 时，就可以发生共振吸收。 测出共振吸收时电磁波的频率 ( 和磁感应强度 B，便可算出有效质量 m*。 可以确定能带极值附近 E(k) 与 k 的关系。 E(k)等能面的球半径为: 如果等能