01讲义2012模拟电子技术基础资料解读.ppt

1、当阳极A和阴极C之间加正向电压，而控制极不加电压时，J2处于反向偏置，管子不导通，称为阻断状态。 2、当阳极A和阴极C之间加正向电压，控制极和阴极之间也加正向电压时，J3处于导通状态。 在很短的时间内两个管子都进入饱和状态，使晶闸管完全导通。该过程称为触发导通过程。 3、晶闸管一旦导通，控制极就失去控制作用，管子依靠内部的正反馈始终维持导通状态。 晶闸管导通后，阳极和阴极之间的电压一般为0.6V~1.2V；阳极电流可达几十安到几千安。 1、正向阻断：使阳极电流减小到小于一定的数值IH（维持电流），导致晶闸管不能维持正反馈。 2、反向阻断：阳极和阴极之间加反向电压。 单向可控硅的符号如图所示，单向可控硅有阳极A、阴极C、控制极G三个引出脚。 二、双向晶闸管 双向可控硅第一阳极T1与第二阳极T2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时T1 、T2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极T1 、第二阳极T2电流减小，小于维持电流或T1 、T2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。? 三、晶闸管的主要参数 1、额定正向平均电流IF：在环境温度小于40℃和标准散热条件下，允许连续通过晶闸管阳极的工频正弦波半波电流的平均值。 2、维持电流IH：在控制极开路且规定的环境温度下，晶闸管维持导通的最小阳极电流。 3、触发电压UG和触发电流IG：室温下，当u=6V时使晶闸管从阻断到完全导通所需最小的控制极电压和电流。 4、正向重复峰值电压UDRM：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大正向电压。 5、反向重复峰值电压URRM ：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大反向电压。 四、小实验 只加正向电压，不加控制电压，晶闸管不导通。 晶闸管导通后，控制极不起作用。 加正向电压的同时还要加控制电压，晶闸管才导通。 * * （3）g、s间加负电压，d、S间加正电压的情况： （1）JFET栅极和沟道间的PN结是反偏的，因此其 ，输入电阻很高； （2）JFET是电压控制电流器件， 受 控制。 （3）预夹断前， 与 呈近似线性关系；预夹断后 趋于饱和。 它是指栅源电压一定的情况下，漏极电流与漏源电压之间的关系曲线。即 Ⅰ区（可变电阻区） Ⅱ区（饱和区或恒流区） Ⅲ区（击穿区） 夹断区（或截止区） 它是指在一定漏源电压下，栅源电压对漏极电流的控制特性，即 转移特性曲线与输出特性曲线有严格的对应关系。当管子工作在恒流区时，由于uDS对iD的影响很小，所以不同的uDS所对应的转移特性曲线基本上重合在一起。这时iD可近似地表示为 N沟道：增强型、耗尽型 P沟道：增强型、耗尽型 增强型：当uGS=0时，没有导电沟道，即iD=0。 耗尽型：当uGS=0时，存在导电沟道，即iD≠0。 二、绝缘栅型场效应管 开启电压UGS(th)【或UT】：使沟道刚刚形成的栅－源电压成为开启电压。 P沟道增强型符号 如果在制造MOS管时，在SiO2绝缘层中掺人大量正离子，那么即使uGS=0，在正离子作用下P型衬底表层也存在反型层，即漏—源之间存在导电沟道，只要在漏—源间加正向电压，就会产生漏极电流，并且uGS为正时，反型层变宽，沟道电阻变小，iD增大；反之，uGS为负时，反型层变窄，沟道电阻变大，iD减小。而当uGS从零减小到一定值时，反型层消失，漏—源之间导电沟道消失，iD =0。此时的uGS称为夹断电压UGS(off)。 P沟道耗尽型MOS管符号 （1）夹断电压UGS(off) ： uDS为某一固定值（一般为10V），使i D等于一个微小的电流（一般为5μA）时，栅源之间之间所加的电压。是结型管和耗尽型MOS管的参数。 三、FET的主要参数 （2）开启电压UGS(th) ：uDS为某一固定值（一般为10V），使i D 大于零电流（一般为5μA）时，栅源之间之间所加的最小电压。是增强型MOS管的参数 。 （3）饱和漏电流IDSS ：对于耗尽型管子，在 uGS=0 的情况下产生预夹断时的漏极电流。它是该管子所能输出的最大电流。通常令uDS=10V，uGS=0V 时测出的漏极电流为饱和漏电流。 （5）最大漏源电压U(BR)DS ：它是指PN结发生击穿、iD 开始急剧上升时的uDS值。它与uGS有关。 uGS越负， U(BR)DS 越小。 （4）直流输入电阻RGS(DC) ：在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻。106-109 Ω。 （6）最