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纳米氮化硅
纳米氮化硅粉体
性能特点:
本产品本产品采用等离子弧气相合成法生产纯度高、粒径小、分布均匀、比表面积大、表面活性高、松装密度低,紫外线反射率为90%以上和吸收红外波段的吸收率在97%以上,器件的成瓷温度低,尺寸稳定性好,机械强度高,耐化学腐蚀性能好,特别是高温强度大,其在复合材料中形成细微的弥散相,提高了复合材料的综合性能。其产品本身具有自润滑性能,可有应用于润滑油中。
主要参数:
0.2% 0.62% 非晶态 20 nm 115m2/g 0.05g/cm3 白 色
三 主要:
制造结构器件:复合材料:图1 目前白光主要产生方式
蓝光LED激发产生白光之未来趋势
发光二极管(light emitting diode;LED)商品早于1968年即已问世,其间许多颜色之LED皆陆续被开发,但直至1993年日本日亚化学公司成功开发出高效率蓝光LED后,方使全彩化的LED产品得以实现。全球LED产业纷纷将研发重点转移至白光LED。目前白光LED之制程技术主要分为单芯片与多芯片型,如图1所示,其中多芯片型使用红、绿、蓝三色LED混成白光,其优点为视不同需要可调整所需光色,但同时使用多个LED使得成本较高,加上电路复杂及三种LED芯片之温度特性、衰减速率及寿命不尽相同,导致混成白光光色会随时间产生变化。因此目前商品化白光LED产品及未来的发展趋势仍以单芯片型为主流,已商品化之白光LED主要是利用蓝光LED激发黄色荧光粉,粉体发出的黄光与未被吸收的蓝光混合,即可产生白光。
图1 目前白光主要产生方式
资料来源:M.G. Craford, Phosphor global summit, USA, 2003
铝酸盐与硅酸盐类荧光粉之历史背景
以蓝光LED加荧光粉产生白光为目前业界中较为成熟之技术,且其成本、寿命、亮度等亦较有优势。1996年日本日亚化学(Nichia Chemical)公司发展出以发黄光系列之钇铝石榴石(Y3Al5O12,YAG)荧光粉配合氮化铟镓(InGaN)蓝色发光二极管,可作为高效率之白光光源。1997年7月29日(优先主张权起始日期:1996年7月29日),日亚化学向美国提出专利申请,1999年12月7日核准,专利号码为US5998925。并于1997年7月28日(优先主张权起始日期:1996年7月29日),向中华民国提出发明专利申请,2000年3月1日核准,其名称为「发光装置及显示装置」,公开编号为383508。
另一方面,日本丰田(Toyoda Gosei)公司与欧洲公司合作发展以碱土硅酸盐化合物荧光粉搭配一放射蓝光及/或紫外光之发光二极管 (LED)产生白光,于2001年12月28日(优先主张权起始日期:2000年12月28日)向美国提出专利申请,2004年3月18日核准,专利号码为US6943380。并于2001年5月7日(优先主张权起始日期:2000年12月28日)向中华民国提出发明专利申请,2002年4月11日核准,其名称为「发光装置」,公开编号为533604。
铝酸盐与硅酸盐类荧光粉之特性分析
荧光粉的组成是由一个主体晶格( Host lattice,简称H )掺杂少量之离子作为活化剂( Activator,简称A ),如图2所示。活化剂取代主体晶格中原有离子,当外界给予适当之能量(如光能、电能等),可被激发产生特征之可见光辐射。
图2 主体晶格与活化剂在发光过程中所扮演之角色示意图
资料来源:台湾大学化学系
近年来,白光LED用之黄色荧光粉以铝酸盐(YAG)与硅酸盐(Silicate)最为广泛使用。其荧光粉特性分述如下:
硅酸盐(silicate),其晶体结构属于单斜晶系(Monoclinic),化学式可表示为M2 SiO4,其中M可为钙、锶、钡等碱土金属元素。藉由掺杂微量铕(Eu2 )于晶格中取代M的位置,可被蓝光激发产生黄色之荧光。视需要亦可将一部分铕以锰取代或将一部分硅以锗、硼、铝、磷取代,可调变不同波长之荧光。利用氮化物如氮化硅等作为原材料,在高温条件下进行合成硅酸盐类荧光粉,可以激发出绿色或红色等荧光。
图 硅酸盐(silicate)晶体结构
纳米Si3N4荧光粉均属于有个别发光中心(铈Ce3 、铕Eu2 )的发光材料。其能量跃迁过程属于f-d跃迁。当外界给予适当之能量(如光能、电能等),处于基态能阶(4f轨域)之电子被激发至高能阶之激发态(5d轨域),并以放光之形式释放能量。因5d轨域处于最外层,并非如同4f轨域一般受外围轨域之电子云所遮蔽,其跃迁过程极易受外围环境所影响,使其光谱呈现宽光谱形态 。经过研究实验表明,原材料氮化硅的颗粒度越小(20纳米)是产生的激发
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