MLCC Process from Eden.docVIP

MLCC Process (From Eden) 　 　 　 产 品 简 介 　 电容器为一种储存电荷，且可瞬间将预定的能量释放的被动组件，它是由两个平行传导电极薄板所组成，两片电极薄板之间填充绝缘性之介电材料。积层陶瓷电容器，顾名思义，是利用上述介电材料，将多层薄板藉由印刷堆栈技术而形成，其中，各层间的电极以交互错开的型式排列而形成并联电路，如此，经由增加电极面积来达到提高电容量正是积层陶瓷电容器基本设计原理所在。 积层陶瓷电容器所使用的介电材料为钛酸钡(化学式：BaTiO3 )之结构，依特性来分，可分为第一类( TYPE I )，亦称为温度补偿型；第二类( TYPE II )，亦称为高K型。最常用的第一类介电材料为COG(亦称NPO)，其特征为低介电常数，低损失因素，高Q值，电容稳定性良好，电容值对温度的变化率相当低，因此常使用于LC谐振电路或需要高稳定性之电路设计；第二类又可分为中介电常数及高介电常数两种，其代表分别为X7R及Y5V，此类之电容器，其电容值受温度的影响很大且变化为非线性，因此适用于IC电路的耦合(coupling)或旁路(bypass)等设计。 积层陶瓷电容器具有高容量、高稳定性、无极性等优点，随着电子产品朝向小型化、轻量化、高性能及高密度化的发展趋势下，已成为电子电路设计上不可或缺之组件。 　 　 陶瓷芯片电容器之优点 ? 高信赖度 ? 具有较佳之ESR值 ? 具有较佳之焊锡耐热性 ? 非极性 ? 具有较佳之高频特性 ? 较省空间 ? 成本较低 　 制 程 介 绍 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 制程中所使用之重要原料 　 　 　 陶瓷粉末 TAM ------------- USA FERRO --------- USA DEGUSSA ----- USA FUJI ------------- JPN 内部电极 DUPONT ------- TWN MSI --------------- USA SHOEI ----------- USA 外部电极 SHOEI ------------ JPN Chinese Glaze -- TWN 　 　 　 　 　 　 13 　 进料检验 芯片陶磁电容器的主要原材料为陶瓷粉末以及内、外电极膏。当上述这些原材料进厂时，必须先进行进料检验才能入库。进料检验是以小量试产方式收集各项检验数据，以判定是否能符合入库标准并做为日后量产制程条件修正之参考。 　 混料 混料程序是将陶瓷粉末、黏结剂、塑化剂以及有机溶剂等均匀地在球磨机内混合。经过混合之后，陶瓷泥浆倒入容器内，并在低压下进行除泡以及测量黏度与比重等物理特性。 　 薄带成型 陶瓷泥浆在氮气压力下透过导管输送至薄带成型机之刮刀头部位，泥浆流延过刮刀形成陶瓷薄膜并附着于PET承载薄膜上，陶瓷薄带依工程设计需要可刮成不同的厚度，一般约在15微米至50微米之间。薄带成型之后，必须在剥离机辅助下与PET承载薄膜分离并进行薄带质量检验，包括厚度均匀性、针孔等以确保后续制程之良率控制。 14 印刷 工程师根据传票的指定设计选取适当的印刷网版以及陶瓷薄带，进行薄带堆栈与印刷。印刷程序中所使用的内电极膏是由70%的银与30%的钯金属所组成且每单位面积的内电极膏使用量必须控制精确以得到稳定的质量。 　 压合 压合程序是藉由热压或水压的方式将陶瓷层内的残存气泡去除，并藉由压力达成陶瓷内层之间层合的目的。 切割 经过多层印刷堆栈而成之陶磁薄片，每一片视生产之电容尺寸不同，可切割成约４仟至６仟颗电容器生胚。 切割机利用ＣＣＤ光学显微相机将陶磁薄片精确地切割成尺寸均一之电容器生胚。切割后之生胚，取样在１０倍显微镜下观察切割精准度及量测尺寸均匀度。. 15 生胚烧除 　 　 切割好之陶磁生胚置放于承载板，在烧除炉内缓慢升温将内含之残留有机物藉由加热分解而去除 (温度由室温至高温360度，时间约48至72小时)。 　 烧结 　 　 电容器生胚在经过烧除之后，小心地置于高温烧结炉进行高温烧结(温度最高可达 1300℃ ) . 烧结程序约需进行12至24小时。 　 剖面分析 　 16 烧结之后，每一批芯片电容器半成品必须根据AQL标准做取样分析，剖面分析对于成品的可靠度而言是相当重要的判断指标。 剖面分析是将样品镶埋于环氧树脂溶液中，经过硬化后，使用抛光研磨机将样品的剖面研磨出来，以便在显微镜下进行微观分析。分析项目包括晶粒的成长情形、孔洞尺寸、裂隙、层裂、内电极异常位移等等。分析之后，该批若未能符合允收标准，则该批必须做报废处理。 　 　 滚边角 　 滚边角程序是将烧结后的半成品与磨石混合，在滚筒内滚动，藉由离心力与重力将陶磁芯片锐利的边角磨圆。该程序的目的是为了加强端部电极与陶瓷体本身