第2章门电路解读.pptx

《数字电路与逻辑设计》电子课件范文兵iewbfan@zzu.edu.cn2016年12月15日第二章门电路2.1概述门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门……门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0正逻辑和负逻辑：在逻辑电路中存在两种逻辑状态，分别用二值逻辑的1和0来表示。如果以输出的高电平表示逻辑1，以输出低电平表示逻辑0，则这种逻辑制称为正逻辑。反之，若以逻辑1代表低电平，而以逻辑0代表高电平，则称为负逻辑。2.2半导体开关特性2.2.1半导体二极管的开关特性2.2.2半导体三极管的开关特性二极管的开关特性：vI=VIH, D截止，vO=VOH=VCCvI=VIL, D导通，vO=VOL=0.7V高电平：VIH=VCC低电平：VIL=0二极管的动态特性：2.2.2半导体三极管的开关特性（Transistor）一、三极管的开关特性 截止工作状态放大工作状态饱和工作状态动态开关特性主要开关参数①饱和压降②开启延迟时间③关闭延迟时间二、MOS管的开关特性1、MOS管的结构S(Source)：源极G(Gate)：栅极D(Drain)：漏极B(Substrate):衬底金属层氧化物层半导体层PN结2、静态开关特性截止区可变电阻区恒流区3、MOS管的动态开关特性4、主要开关参数①导通电阻：MOS管导通时，且为固定值条件下，漏极电压的变化量与漏极电流变化量之间的比值，即②截止电阻：MOS管截止时，漏极和源极之间的电阻值，大小约为③跨导：在一定的条件下，漏极电流变化与栅源极电压变化之比，它表示栅源电压对漏极电流的控制能力④开启电压和夹断电压：对于N沟道增强型MOS管为正值，P沟道增强型为负值；对于N沟道耗尽型MOS管为负值，P沟道耗尽型为正值。5、MOS管的四种类型增强型耗尽型大量正离子导电沟道2.3最简单的与、或、非门电路二极管与门设VCC=5V加到A,B的VIH=3VVIL=0V二极管导通时VDF=0.7VABY0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7VABY000010100111规定3V以上为10.7V以下为0二极管构成的门电路的缺点电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路2.3.2三极管非门（反相器）三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 vI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压参数合理？vI=VIL时，T截止，vO=VOHvI=VIH时，T截止，vO=VOL输入信号悬空时：2.3.3二极管-三极管与非、或非门2.4TTL门电路（Transistor-TransistorLogic）2.4.1TTL与非门电路结构和工作原理一、电路结构二、工作原理1．当输入中有一个为低电平时，这时对应的发射极必然导通，并在深度饱和状态。T2和T5管截止。T4导通，T5截止，输出为高电平。2．当输入全为高电平时，此时假设T1导通，则T1的基极电压钳位在2.1V。这样T1管的所有发射结均反偏，相当于把原来的集电极作为发射极使用，原来的发射极作为集电极使用，也就是说T1管工作在倒置状态。T2导通使导致T4截止，T5导通，输出变为低电平。2.4.2TTL与非门的外部特性及参数一、静态输入特性和输出特性1．输入特性①输入低电平电流②输入高电平电流0.7V1.4VT2开始导通，但T1管集电极支路电流仍很小时T5管导通，随着增大迅速减小这时T1管处于倒置状态，T1管的集电极电流流入T2管的基极，输入电流方向与参考方向一致。转变为正值。2．输出特性①输出高电平时的输出特性（a）等效电路（b）高电平输出特性曲线②输出低电平时的输出特性（a）等效电路（b）低电平输出特性曲线二、负载特性1．输入端负载特性输入端接入负载时电路输入负载特性曲线当时，随的变化规律为 ③当输入端A通过的电阻接地时，因为所接电阻大于开启电阻，A端相当于输入高电平，这时钳位在2.1V的电平上，所以测得B端电压为④当输入端A通过的电阻接地时，等效在A端加了一个输入电压相当于在A端加一个0.2V的逻辑低电平，与第一种情况一样，电压表测得B端电压为0.2V。2．带负载能力TTL与非门带负载能力表示一个与非门所能驱动同类门的最大数目，常用扇出系数表示当驱动门的输出高电平时当驱动门输出低电平时扇出系数取和的较小者。三、电压的传输特性1．AB段（截止区）：2．BC段（线性区）：3．CD段（转折区）：线性下降快速下降阈值电压或门槛电压4．DE段（饱和区）：四、噪声容限五、TTL与非门的动态特性一、传输延迟时间1、现象：二、动态尖峰电流2.4.3其他类型的TTL门电路一、其他逻辑功能的门电路1.与或非门2.异或门二、集电极开路的门电路1、推拉式输出电路结构的局限性①输出电平不可调②负载能力不强，尤其是高电平输出③输出端